The invention discloses a novel negative voltage bootstrap circuit, which belongs to the technical field of integrated circuits. The new negative pressure bootstrap circuit includes two-stage charge pump, clamping branch and negative pressure detection branch, in which the output end of the second-stage charge pump is connected with the gate control end of clamping branch, the input end of the second-stage charge pump is connected with the output end of clamping branch, and the output end of the negative pressure detection branch is connected with the substrate of all PMOS tubes in the second-stage charge pump and clamping branch. The input end of the inlet and the negative pressure detection branch are connected with the bootstrapped negative pressure. Secondary charge pump is introduced to provide the initial control voltage of the switch tube; a negative voltage detection branch is added to switch the sinking bottom potential of all POMS tubes according to the input negative voltage value to avoid N well breakdown; clamp branch is introduced to stabilize the output voltage value to avoid the whole negative voltage bootstrap circuit withstanding excessive limit voltage, so as to achieve accurate negative voltage bootstrap and loss-free. Transmission.
【技术实现步骤摘要】
一种新型负压自举电路
本专利技术涉及集成电路
,特别涉及一种新型负压自举电路。
技术介绍
目前flash是应用最为广泛的非易失性存储器,作为独立存储器、或作为内嵌IP,已经被广泛地应用于数据存储、工业控制、人工智能和物联网等领域。众所周知,flash是通过热电子发射机理来实现对存储单元的浮栅电荷的收集和释放;通常在flash芯片内部设计有正、负电荷泵电路来产生足够高的电压差,以达到热电子发射的条件,其中涉及到负向电压的传输问题。由于受到芯片P型沉底、MOS管的有限耐压等工艺条件的限制,负向电压传输一直都是一个难题。在flash芯片内部,往往采用PMOS管作为负压的传输管;为了实现更好的芯片隔离与无损传输,PMOS管的栅控电压必须低于被传输负压,这时就需要一个负压自举电路来产生PMOS传输管栅控电压。图1中所示为传统的负向自举电路结构,采用一个二级电荷泵直接对输入负压Vin进行自举。这种电路结构存在一个缺点:(1)输出电压值Vout大于Vin两个PMOS管的开启电压Vth;(2)电路中PMOS管承受较高的电压应力,PMOS管的耐压要求大于Vin+2·Vth+VDD。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新型负压自举电路,以解决现有的负向自举电路对PMOS管耐压要求高的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种新型负压自举电路,包括二级电荷泵、钳位支路和负压检测支路;其中,所述二级电荷泵的输出端与所述钳位支路的栅控制端相连接,所述二级电荷泵的输入端与所述钳位支路的输出端相连接;所述负压检测支路的输出端与所述二级电荷泵和所述钳位支路中所有PMOS管的衬 ...
【技术保护点】
1.一种新型负压自举电路,其特征在于,包括二级电荷泵、钳位支路和负压检测支路;其中,所述二级电荷泵的输出端与所述钳位支路的栅控制端相连接,所述二级电荷泵的输入端与所述钳位支路的输出端相连接;所述负压检测支路的输出端与所述二级电荷泵和所述钳位支路中所有PMOS管的衬底相连接;所述钳位支路的输入端和所述负压检测支路的输入端均与被自举负压相连。
【技术特征摘要】
1.一种新型负压自举电路,其特征在于,包括二级电荷泵、钳位支路和负压检测支路;其中,所述二级电荷泵的输出端与所述钳位支路的栅控制端相连接,所述二级电荷泵的输入端与所述钳位支路的输出端相连接;所述负压检测支路的输出端与所述二级电荷泵和所述钳位支路中所有PMOS管的衬底相连接;所述钳位支路的输入端和所述负压检测支路的输入端均与被自举负压相连。2.如权利要求1所述的新型负压自举电路,其特征在于,所述二级电荷泵包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2和第三PMOS管MP3,第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3;所述第一PMOS管MP1的栅端接其漏端,并共同接地电位VSS;所述第二PMOS管MP2的栅端接其漏端,并共同接所述第一PMOS管的源端和所述第一电容C1的上极板;所述第三PMOS管MP3的栅端接其漏端,并共同接所述第二PMOS管MP2的源端和所述第二电容C2的上极板;所述第三PMOS管的源端接所述第三电容C3的上极板。3.如权利要求2所述的新型负压自举电路,其特征在于,所述钳位支路包...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖培磊,胡小琴,罗永波,宣志斌,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十八研究所,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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