【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及模数混合电路，特别涉及一种单bjt支路失调型电压模带隙基准电路。
技术介绍
1、近些年数字技术的飞速发展导致了各种电子产品对带隙基准的要求也越来越高，由于物联网系统的快速发展，要求系统的功耗越来越低，低功耗成了热门的研究话题，新型的带隙基准电路也不断涌现。
2、在低功耗应用的设备中带隙基准电路是关键核心电路，其中低功耗的应用设备主要包括生物医学、物联网(iot)和无源rfid设备等类型。传统的带隙结构无法满足这一要求，因为它在低功耗设计中需要几个兆欧标量的巨大电阻，并且占用面积很大，生物医学收发器的分辨率取决于adc精度的运放，而运放又取决于带隙基准的精度性能。
3、因此亟需提出一种基于ptat运算放大器的单bjt支路失调型电压模带隙基准电路，要比传统的传统带隙基准具有更好的能耗利用率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种单bjt支路失调型电压模带隙基准电路，以解决
技术介绍
中的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种单bjt支路失调型电压模带隙基准电路，包括直流偏置电路、ptat运算放大器、单bjt支路结构、偏置电流产生电路以及psrr高频提高电容co；
3、所述直流偏置电路输出参考电压vib1、vib2、vib3至所述ptat运算放大器；
4、所述ptat运算放大器产生信号vctrl以控制所述单bjt支路结构输出带隙基准电压vbg，所述psrr高频提高电容co连接于带隙基准电压vbg
5、并且所述单bjt支路结构还输出信号va至所述直流偏置电路，输出信号vb至所述ptat运算放大器；
6、所述偏置电流产生电路接收带隙基准电压vbg和参考电压vib1，产生带隙基准电流ibias。
7、在一种实施方式中，所述直流偏置电路包括电流产生支路和偏置输出支路；
8、所述电流产生支路包括nmos管mn1、nmos管mn3和pmos管mp1；所述nmos管mn1是mos二极管接法，把电流转换成电压，产生参考电压vib1；
9、所述偏置输出支路包括pmos管mp2、pmos管mp3和nmos管mn2；所述pmos管mp2和所述pmos管mp3是mos二极管接法，产生偏置参考电压vib2，vib3；
10、所述直流偏置电路的输入控制信号是所述单bjt支路结构产生的输出信号va，接入所述nmos管mn3的栅极。
11、在一种实施方式中，所述单bjt支路结构包括双极性晶体管q1、nmos管mn4以及电阻r1、r2、r3；通过在单bjt支路结构中进行线性叠加，得到基准电压vbg；所述单bjt支路结构的输入控制信号是vctrl信号，接入nmos管mn4的栅极。
12、在一种实施方式中，所述ptat运算放大器包括具有正反馈负载的跨导运算放大器、共源极放大器以及两级运放之间的补偿电容cc；其中，
13、所述具有正反馈负载的跨导运算放大器包括nmos管mn5、nmos管mn6、nmos管mn7、nmos管mn8、nmos管mn9、nmos管mn10、nmos管mn11、pmos管mp4、pmos管mp5、pmos管mp6、pmos管mp7、pmos管mp9、pmos管mp10、pmos管mp11、pmos管mp12、pmos管mp13、pmos管mp14；pmos管mp11、mp12是交叉耦合负载对管作正反馈负载，在mos二极管的基础上增加交叉耦合正反馈负载，mos二极管静态电流下降，增益得到进一步提高；
14、所述共源极放大器包括nmos管mn12和pmos管mp8、mp15，补偿电容cc直接从所述共源极放大器的输出端接到所述具有正反馈负载的跨导运算放大器的输出端。
15、在一种实施方式中，所述偏置电流产生电路包括nmos管mn13、nmos管mn14、nmos管mn15、nmos管mn16、nmos管mn17，pmos管mp16、pmos管mp17、pmos管mp18、pmos管mp19、pmos管mp20、pmos管mp21、pmos管mp22、pmos管mp23、pmos管mp24以及电阻r4，用于输出参考电流ibias；vbg为所述偏置电流产生电路的输入参考电压，vib1是所述偏置电流产生电路的偏置电压输入。
16、本专利技术提供的一种单bjt支路失调型电压模带隙基准电路，包括直流偏置电路、ptat运算放大器、单bjt支路结构、偏置电流产生电路以及psrr高频提高电容co；具有精度高和面积小的特点，具有更少的bjt和无源元件，电路结构简单，具有更好的能耗利用率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种单BJT支路失调型电压模带隙基准电路，其特征在于，包括直流偏置电路、PTAT运算放大器、单BJT支路结构、偏置电流产生电路以及PSRR高频提高电容CO；
2.如权利要求1所述的单BJT支路失调型电压模带隙基准电路，其特征在于，所述直流偏置电路包括电流产生支路和偏置输出支路；
3.如权利要求2所述的单BJT支路失调型电压模带隙基准电路，其特征在于，所述单BJT支路结构包括双极性晶体管Q1、NMOS管MN4以及电阻R1、R2、R3；通过在单BJT支路结构中进行线性叠加，得到基准电压VBG；所述单BJT支路结构的输入控制信号是Vctrl信号，接入NMOS管MN4的栅极。
4.如权利要求3所述的单BJT支路失调型电压模带隙基准电路，其特征在于，所述PTAT运算放大器包括具有正反馈负载的跨导运算放大器、共源极放大器以及两级运放之间的补偿电容CC；其中，
5.如权利要求4所述的单BJT支路失调型电压模带隙基准电路，其特征在于，所述偏置电流产生电路包括NMOS管MN13、NMOS管MN14、NMOS管MN15、NMOS管MN16、NMOS
...【技术特征摘要】
1.一种单bjt支路失调型电压模带隙基准电路，其特征在于，包括直流偏置电路、ptat运算放大器、单bjt支路结构、偏置电流产生电路以及psrr高频提高电容co；
2.如权利要求1所述的单bjt支路失调型电压模带隙基准电路，其特征在于，所述直流偏置电路包括电流产生支路和偏置输出支路；
3.如权利要求2所述的单bjt支路失调型电压模带隙基准电路，其特征在于，所述单bjt支路结构包括双极性晶体管q1、nmos管mn4以及电阻r1、r2、r3；通过在单bjt支路结构中进行线性叠加，得到基准电压vbg；所述单bjt支路结构的输入控制信号是vctrl信号，接入nmos管mn4的栅极。
4.如权利要求3所述的单bjt支路失调型电...
【专利技术属性】
技术研发人员：相立峰，徐英明，李超，王星，张世琳，李嘉朋，仲明尧，赵霁，徐晓斌，张国贤，孙俊文，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：
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