一种高压抗核辐射功率晶体管结构及制备方法技术

本发明专利技术涉及高压功率半导体器件技术领域，特别涉及一种高压抗核辐射功率晶体管结构及制备方法。包括：N型高浓度衬底；N型低浓度外延层，布设于N型高浓度衬底上；深P型掺杂栅区，两个深P型掺杂栅区对称布设于N型低浓度外延层内的顶部外侧；薄P型掺杂基区，布设于N型低浓度外延层内的顶部中部，且薄P型掺杂基区的两端分别与深P型掺杂栅区的顶部相交叠；N型高浓度发射区，布设于薄P型掺杂基区内的顶部中部；金属电极。本发明专利技术以解决功率晶体管核辐射条件下晶体管电流放大、击穿电压等电参数退化大、功能失效等问题，改善高压功率晶体管的抗核辐射性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高压功率半导体器件，特别涉及一种高压抗核辐射功率晶体管结构及制备方法。

技术介绍

1、功率晶体管由多个晶体管原胞组成，以便达到高的功率容量，同时硅功率双极晶体管具有技术成熟，成本低，可靠性高的特点，广泛应用于各行业电器系统中。同时在实际应用领域中，核辐射会对半导体材料造成损伤，造成晶体管基区少数载流子寿命大幅减小，电流增益显著下降，器件的电特性迅速退化，辐射积累到一定程度时导致器件功能失效，电器系统无法工作。

2、减轻核辐射对半导体器件参数影响的主要方法：1）更换半导体材料，2）采用窄发射极、薄基区、基区掺金或铂、电子辐照等，3）表面钝化技术。这些方法各自具备一些特点，可以起到降低晶体管电流增益的变化和改善器件表面对辐射的敏感度，但针对高压晶体管这一类具有宽基区和低掺杂浓度的外延层结构特点的功率器件，其抗核辐射性能难以得到明显提升。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种高压抗核辐射功率晶体管结构及制备方法，以解决功率晶体管核辐射条件下晶体管电流放大、击穿电压等电参数退化大、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高压抗核辐射功率晶体管结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种高压抗核辐射功率晶体管结构，其特征在于，所述N型低浓度外延层的顶部还包括布设的二氧化硅隔离介质层，以实现将所述基极和所述发射极进行隔离。

3.一种高压抗核辐射功率晶体管结构的制备方法，用于制备如权利要求1或2所述的一种高压抗核辐射功率晶体管结构，其特征在于，包括如下步骤：

【技术特征摘要】

1.一种高压抗核辐射功率晶体管结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种高压抗核辐射功率晶体管结构，其特征在于，所述n型低浓度外延层的顶部还包括布设的二氧化硅隔离介质层...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡树军，吴建伟，张明，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：