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本发明涉及高压功率半导体器件技术领域，特别涉及一种高压抗核辐射功率晶体管结构及制备方法。包括：N型高浓度衬底；N型低浓度外延层，布设于N型高浓度衬底上；深P型掺杂栅区，两个深P型掺杂栅区对称布设于N型低浓度外延层内的顶部外侧；薄P型掺杂基区...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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