The invention provides a wafer structure, which comprises a plurality of grains, a plurality of cutting paths and a plurality of process drawings. The first and second sides of the adjacent grains of the cutting path are concentrated in the cutting path of the adjacent first side, or in the grain, or in the cutting path of the adjacent first side and the part of the cutting path of the adjacent second side. The reduction of the width of the cutting path in the process drawings can increase the number of grains produced by each wafer.
【技术实现步骤摘要】
晶圆结构
本专利技术是有关于一种晶圆结构，尤其是一种制程图样集中位于部分切割道或集中位于晶粒的晶圆结构。
技术介绍
在电子产品的发展与技术上的演进，集成电路(IntegratedCircuit，IC)设计公司与晶圆代工厂皆想要提升一片晶圆所能产出晶粒的数量，而常用的方式之一是缩小切割道(scriberline)的宽度，但是晶粒于制造过程中常常需要依赖切割道上的制程图样检测其正确性，惟，制造设备的能力有其极限，制程图样无法缩小至超出制造设备的能力，导致切割道的缩小受到局限。基于上述难题，中华人民共和国国家知识产权局申请公布号“CN103176350A”与授权公告号“CN101533229B”，及日本特许厅特许申请公开号“特开2005-283609”等等皆提出相关的技术，但是其效果不彰。再者，于切割晶圆而划分出晶粒后，若切割道设有制程图样却未被切割完全，晶粒的边缘会有残留制程图样的现象，而制程图样的残留有可能导致晶粒的输入/输出通道之间短路，或者导致晶粒与其他配件(例如：软性电路板，FPC)进行组装时产生短路的问题。此外，一般制程图样会设计位于晶粒四周的切割道中，如此...
【技术保护点】
1.一种晶圆结构，其特征在于，其包含：多个晶粒，具有多个第一边及多个第二边；多个切割道，相邻该些晶粒的该些第一边及该些第二边，相邻该些第二边的该些切割道的宽度小于相邻该些第一边的该些切割道的宽度；及多个制程图样，位于相邻该些第一边的该些切割道。
【技术特征摘要】
2017.06.28 US 62/525,9041.一种晶圆结构，其特征在于，其包含：多个晶粒，具有多个第一边及多个第二边；多个切割道，相邻该些晶粒的该些第一边及该些第二边，相邻该些第二边的该些切割道的宽度小于相邻该些第一边的该些切割道的宽度；及多个制程图样，位于相邻该些第一边的该些切割道。2.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，其中，该些第一边为该些晶粒的短边，该些第二边为该些晶粒的长边。3.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，其中，该些制程图样全部皆位于相邻该些第一边的该些切割道。4.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，其中，该些晶粒具有多个输入/输出部，该些输入/输出部沿着该些第二边设置，该些输入/输出部与该些制程图样相邻该些晶粒的不同边。5.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，其中，相邻该些第二边的该些切割道的宽度小于该些制程图样的最大宽度。6.如权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，其中，相邻该些第二边的该些切割道的宽度为相同宽度。7.如权利要求6所述的晶圆结构，其特征在于，其中，相邻该些第一边的该些切割道的宽度为相同宽度。8.一种晶圆结构，其特征在于，其包含：多个晶粒，具有多个第一边及多个第二边；多个切割道，相邻该些晶粒的该些第一边及该些第二边；及多个制程图样，位于相邻该些第二边的该些切割道中5%以下的切割道及相邻该些第一边的该些切割道；其中，未...
【专利技术属性】
技术研发人员：林春生，吴谷泽，简志颖，周明宗，
申请(专利权)人：矽创电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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