具有高静电防护能力的二极管制造技术

本公开提供一种具有高静电防护能力的二极管，包含第一导电类型的第一扩散区、第二导电类型的第二扩散区与绝缘区。第一扩散区具有多个凹陷部。绝缘区环绕第一扩散区且与第一扩散区共形。第二扩散区环绕绝缘区。绝缘区用以隔离第一扩散区与第二扩散区。本公开提出一种具有高静电防护能力的二极管，通过改变二极管的内扩散区的外形来增加P/N界面的周长从而提高二极管自身的电流耐受能力，不须增加二极管的面积即能使二极管具有高静电防护能力。

Diode with high electrostatic protection capability

The present disclosure provides a diode with high electrostatic protection capability, comprising a first diffusion region of the first conductive type, a second diffusion region of the second conductive type and an insulating region. The first diffusion zone has many depressions. The insulation zone surrounds the first diffusion zone and conforms to the first diffusion zone. The second diffusion zone surrounds the insulation zone. The insulation zone is used to isolate the first diffusion zone from the second diffusion zone. A diode with high electrostatic protection capability is proposed in the present disclosure. The circumference of the P/N interface is increased by changing the shape of the inner diffusion region of the diode so as to improve the current tolerance of the diode itself. The diode has high electrostatic protection capability without increasing the area of the diode.

【技术实现步骤摘要】
具有高静电防护能力的二极管
本公开实施例涉及半导体
，具体而言，涉及一种具有高静电防护能力的二极管。
技术介绍
静电对于电子产品的伤害一直是不易解决的问题，尤其是在高频电路的应用中。为了不影响产品的正常工作性能，电路的输入输出接口通常需要静电保护元件以具有较强的电流泄放能力。现今较为常见的高频电路，其输入输出接口的静电保护元件多为二极管。当有静电放电发生时，N型二极管用于泄放从接地端到输入输出接口的正向电流，P型二极管用于泄放输入输出接口到电源端的正向电流。为了提高二极管自身的电流耐受能力从而提高静电防护能力，通常需要增大二极管的面积，然而这种作法对于产品的微小化是不利的。
技术实现思路
本公开的目的在于提出一种具有高静电防护能力的二极管，通过改变二极管的内扩散区的外形来增加P/N界面的周长从而提高二极管自身的电流耐受能力，不须增加二极管的面积即能使二极管具有高静电防护能力。根据本公开的上述目的，提出一种具有高静电防护能力的二极管，包含第一导电类型的第一扩散区、第二导电类型的第二扩散区与绝缘区。第一扩散区具有多个凹陷部。绝缘区环绕第一扩散区且与第一扩散区共形。第二扩散区环绕绝缘区。绝缘区用以隔离第一扩散区与第二扩散区。在一些实施例中，上述凹陷部的每一者具有U字外形。在一些实施例中，上述凹陷部的每一者具有圆弧状外形。在一些实施例中，上述凹陷部两两对称于第一扩散区的相应中心点。在一些实施例中，上述相对于第二扩散区的每一侧的第一扩散区的每该侧具有相同数量的至少一凹陷部。在一些实施例中，上述相对于第二扩散区的至少一组相对侧的第一扩散区的相对该侧具有相同数量的至少一凹陷部。在一些实施例中，上述第一导电类型的第一扩散区为N+型扩散区，第二导电类型的第二扩散区为P+型扩散区。在一些实施例中，上述第一导电类型的第一扩散区为P+型扩散区，第二导电类型的第二扩散区为N+型扩散区。在一些实施例中，形成绝缘区的方法为局部氧化法(LocalOxidationofSilicon，LOCOS)或浅沟槽隔离(ShallowTrenchIsolation，STI)。在一些实施例中，上述第一扩散区具有平滑外形。为让本公开的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。附图说明从以下结合说明书附图所做的详细描述，可对本公开的实施方式有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例示出。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。图1是示出其中一种现有二极管的结构示意图。图2是示出根据本公开的第一实施例的二极管的结构示意图。图3是示出根据本公开的第二实施例的二极管的结构示意图。图4是示出根据本公开的第三实施例的二极管的结构示意图。图5是示出根据本公开的第四实施例的二极管的结构示意图。附图标记说明：100、200、300、400、500：二极管110、210、310、410、510：第一扩散区212、312、412、512：凹陷部120、220、320、420、520：第二扩散区130、230、330、430、430：绝缘区具体实施方式以下仔细讨论本专利技术的实施例。然而，可以理解的是，实施例提供许多可应用的概念，其可实施于各式各样的特定内容中。所讨论、公开的实施例仅供说明，并非用以限定本专利技术的范围。另外，关于本文中所使用的“第一”、“第二”、…等，并非特别指次序或顺位的意思，其仅为了区别以相同技术用语描述的元件或操作。图1是示出其中一种现有二极管100的结构示意图。现有二极管100包含第一导电类型的第一扩散区110、第二导电类型的第二扩散区120与绝缘区130。绝缘区130环绕第一扩散区110，且第二扩散区120环绕绝缘区130。绝缘区130用以隔离第一扩散区110与第二扩散区120。图2是示出根据本公开的第一实施例的二极管200的结构示意图。二极管200包含第一导电类型的第一扩散区210、第二导电类型的第二扩散区220与绝缘区230。第一扩散区210具有多个凹陷部212。绝缘区230环绕第一扩散区210且与第一扩散区210共形。第二扩散区220环绕绝缘区230。绝缘区230用以隔离第一扩散区210与第二扩散区220。在本公开的实施例中，上述第一导电类型的第一扩散区为N+型扩散区，第二导电类型的第二扩散区为P+型扩散区，在此情况下，二极管为N型二极管；或者，上述第一导电类型的第一扩散区为P+型扩散区，第二导电类型的第二扩散区为N+型扩散区，在此情况下，二极管为P型二极管。在本公开的实施例中，形成绝缘区130的方法为局部氧化法(LOCOS)或浅沟槽隔离(STI)。对本公开的一些实施例而言，相对于第二扩散区的每一侧的第一扩散区的每该侧具有相同数量的至少一凹陷部。以本公开的第一实施例为例，如图2所示，相对于第二扩散区220的每一侧(即上侧/下侧/左侧/右侧)的第一扩散区210的每该侧(即上侧/下侧/左侧/右侧)各自具有1个凹陷部212，但本公开的实施例不限于此。在本公开的第一实施例中，如图2所示，凹陷部212的每一者具有U字外形，但本公开的实施例不限于此，凹陷部的每一者也可以是具有圆弧状外形。对本公开的实施例而言，凹陷部两两对称于第一扩散区的相应中心点，以本公开的第一实施例为例，如图2所示，凹陷部212两两对称于第一扩散区210的相应中心点。应注意的是，本公开并不限定凹陷部相对于第一扩散区的尺寸关系，只要其设计能够符合二极管的制造工艺，且第一扩散区不会具有过于突出或凹陷的外形从而导致不利于提高二极管的静电防护能力即可。对本公开的实施例而言，具有多个凹陷部的第一扩散区是具有平滑的外形，从而使得用来泄放电流的P/N界面不会因为有锐利的转折从而造成尖端放电或电流集中在尖端，使其不利于提高二极管的静电防护能力。请一并参照图1与图2，本公开的第一实施例的二极管200相较于现有二极管100，在保持二极管面积不变的情况下，通过改变第一扩散区210的外形，来增加P/N界面的周长(意即，在相同单位面积下，电流流经的路径增加)从而提高二极管200自身的电流耐受能力。图3是示出根据本公开的第二实施例的二极管300的结构示意图。二极管300包含第一导电类型的第一扩散区310、第二导电类型的第二扩散区320与绝缘区330。第一扩散区310具有多个凹陷部312。绝缘区330环绕第一扩散区310且与第一扩散区310共形。第二扩散区320环绕绝缘区330。绝缘区330用以隔离第一扩散区310与第二扩散区320。对本公开的一些实施例而言，相对于第二扩散区的至少一组相对侧的第一扩散区的相对该侧具有相同数量的至少一凹陷部。以本公开的第二实施例为例，如图3所示，相对于第二扩散区320的一组相对侧(即左侧/右侧)的第一扩散区310的相对该侧(即左侧/右侧)各自具有2个凹陷部312，但本公开的实施例不限于此。在本公开的第二实施例中，如图3所示，凹陷部312的每一者具有U字外形，但本公开的实施例不限于此，凹陷部的每一者也可以是具有圆弧状外形。对本公开的实施例而言，凹陷部两两对称于第一扩散区的相应中心点，以本公开的第二实施例为例，如图3所示，凹陷部312两两对称于第一扩散区310的相应中心点。请一并参照图1与图3，本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高静电防护能力的二极管，包含：一第一导电类型的一第一扩散区，具有多个凹陷部；一绝缘区，环绕该第一扩散区，且与该第一扩散区共形；以及一第二导电类型的一第二扩散区，环绕该绝缘区，其中该绝缘区用以隔离该第一扩散区与该第二扩散区。

【技术特征摘要】
1.一种具有高静电防护能力的二极管，包含：一第一导电类型的一第一扩散区，具有多个凹陷部；一绝缘区，环绕该第一扩散区，且与该第一扩散区共形；以及一第二导电类型的一第二扩散区，环绕该绝缘区，其中该绝缘区用以隔离该第一扩散区与该第二扩散区。2.如权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其中每一所述凹陷部具有一U字外形。3.如权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其中每一所述凹陷部具有一圆弧状外形。4.如权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其中所述凹陷部两两对称于该第一扩散区的相应中心点。5.如权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其中相对于该第二扩散区的每一侧的该第一扩散区的每该侧具有相同数量的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王黎，温作晓，
申请(专利权)人：彩优微电子昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31