The invention belongs to the field of semiconductor, in particular to a transverse constant current diode. The transverse constant current diode of the invention improves the well area of the traditional diode, and sets the traditional P well as the well area overlapped by the second P-type heavy doping region and the P-type light doping region, thus adjusting the surface electric field through the light doping P-type region and assisting the depletion of the N-type well area, so as to increase the breakdown voltage, at the same time, more holes are introduced into the light doping P-type region to make the N-type well area dense. The constant current of the transverse constant current diode is increased with the increase of the degree, and the channel length is shortened by the heavily doped P-mode region, so as to improve the constant current and breakdown voltage.
【技术实现步骤摘要】
一种横向恒流二极管
本专利技术属于半导体领域，具体的说涉及一种横向恒流二极管。
技术介绍
二极管是一种常用的电子设备和装置，在电子线路中使用相当广泛。目前常用恒流二极管作为恒流源来代替普通的由晶体管、稳压管和电阻等多个元件组成的恒流源，目前恒流二极管的输出电流在几毫安到几十毫安之间，可以直接驱动负载，实现了简化电路结构，缩小体积，提高器件的可靠性的目的。另外恒流二极管的外围电路非常简单，使用方便，广泛应用于自动控制，仪表仪器、保护电路等领域。目前的恒流二极管的击穿电压高位普遍在30-100V，因此存在击穿电压较低的问题，同时能提供的恒定电流也较低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的，就是针对目前恒流二极管存在击穿电压较低的问题，提出一种横向恒流二极管。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种横向恒流二极管，包括P型衬底、阴极和阳极；所述P型衬底上层的一侧具有第一P型重掺杂区，所述P型衬底上层的另一侧具有N型阱区；所述P型衬底的下表面具有阴极，其上表面具有氧化层；所述N型阱区上层靠近第一P型重掺杂区的一侧具有第一N型重掺杂区，所述N型阱区上层远离第一P型重掺杂...
【技术保护点】
1.一种横向恒流二极管，包括P型衬底(9)、阴极(1)和阳极(11)；所述P型衬底(9)上层的一侧具有第一P型重掺杂区(3)，所述P型衬底上层的另一侧具有N型阱区(8)；所述P型衬底(9)的下表面具有阴极(1)，其上表面具有氧化层(2)；所述N型阱区(8)上层靠近第一P型重掺杂区(3)的一侧具有第一N型重掺杂区(4)，所述N型阱区(8)上层远离第一P型重掺杂区(3)的一侧具有第二N型重掺杂区(7)；所述第二N型重掺杂区(7)上表面具有阳极(11)，所述阳极(11)沿氧化层(2)上表面向靠近第一P型重掺杂区(3)的一侧延伸形成阳极场板(13)；其特征在于，所述N型阱区(8)中...
【技术特征摘要】
1.一种横向恒流二极管，包括P型衬底(9)、阴极(1)和阳极(11)；所述P型衬底(9)上层的一侧具有第一P型重掺杂区(3)，所述P型衬底上层的另一侧具有N型阱区(8)；所述P型衬底(9)的下表面具有阴极(1)，其上表面具有氧化层(2)；所述N型阱区(8)上层靠近第一P型重掺杂区(3)的一侧具有第一N型重掺杂区(4)，所述N型阱区(8)上层远离第一P型重掺杂区(3)的一侧具有第二N型重掺杂区(7)；所述第二N型重掺杂区(7)上表面具有阳极(11)，所述阳极(11)沿氧化层(2)上表面向靠近第一P型...
【专利技术属性】
技术研发人员：尚帝，潘伟，涂家欣，
申请(专利权)人：乐山尚鼎科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川,51
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