薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管以及显示面板技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管以及显示面板，包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成第一栅极以及与第一栅极间隔的第二栅极；在衬底基板上形成栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖第一栅极和第二栅极；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成源极层；对源极层以及半导体层进行第一刻蚀处理，以在源极层上形成第一源极和第二源极，并在半导体层上形成漏极以及第一导电沟道和第二导电沟道，第一导电沟道与第一源极连接，第二导电沟道与第二源极连接。在薄膜晶体管制作方法中，薄膜晶体管的漏极更加稳定。并且提高薄膜晶体管的电子迁移速率以及提高了显示面板的分辨率。

Fabrication method of thin film transistor, thin film transistor and display panel

The invention provides a thin film transistor fabrication method, a thin film transistor and a display panel, including: providing a substrate substrate; forming a first gate on the substrate and a second gate spaced between the first gate; forming a grid insulating layer on the substrate, covering the first gate and the second gate; forming a semiconductor layer on the grid insulating layer; A source layer is formed on the layer; the source layer and the semiconductor layer are first etched to form a first source and a second source on the source layer, and a drain, a first conductive channel and a second conductive channel are formed on the semiconductor layer. The first conductive channel is connected with the first source, and the second conductive channel is connected with the second source. In the fabrication method of thin film transistor, the drain of thin film transistor is more stable. It also improves the electron migration rate of thin film transistors and the resolution of the display panel.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管以及显示面板
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管以及显示面板。
技术介绍
目前，氧化物半导体材料在大尺寸平板显示方面得到广泛的应用，特别是IGZO(IndiumGalliumZincOxide，铟镓锌氧化物)。IGZO尤其适用于在大屏幕OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示器中。IGZOTFT比传统的非晶硅薄膜晶体管具有高精度、低功耗、高触控性能和元件轻薄的优点。但是在现有技术中，IGZOTFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的BCE(back-channeletchstructure，背沟道蚀刻结构)结构，存在S/D(Source/Drain，源极/漏极)电极的CDLoss(刻蚀宽度缺失)的问题。在对IGZOTFT进行刻蚀时铜刻蚀液会腐蚀IGZO，从而导致沟道的宽度受到限制，影响了TFT的电子迁移。最后使在显示过程中TFT的分辨率降低，影响了画面显示的清晰度。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管以及显示面板，从而提高电子的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成第一栅极以及与所述第一栅极间隔的第二栅极；在所述衬底基板上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述第一栅极和所述第二栅极；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成源极层；对所述源极层以及所述半导体层进行第一刻蚀处理，以在所述源极层上形成第一源极和第二源极，并在所述半导体层上形成漏极以及第一导电沟道和第二导电沟道，所述第一导电沟道与所述第一源极连接，所述第二导电沟道与所述第二源极连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成第一栅极以及与所述第一栅极间隔的第二栅极；在所述衬底基板上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述第一栅极和所述第二栅极；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成源极层；对所述源极层以及所述半导体层进行第一刻蚀处理，以在所述源极层上形成第一源极和第二源极，并在所述半导体层上形成漏极以及第一导电沟道和第二导电沟道，所述第一导电沟道与所述第一源极连接，所述第二导电沟道与所述第二源极连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述在所述半导体层上形成源极层的步骤之前，还包括：在所述半导体层上形成阻挡层；对所述阻挡层进行第二刻蚀处理，以形成阻挡块，所述阻挡块的面积小于所述半导体层的面积；所述源极层的一部分形成在所述阻挡块上，所述源极层的另一部分与所述半导体层连接。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述对所述源极层以及所述半导体层进行第一刻蚀处理的步骤，包括：对所述源极层、所述阻挡块和所述半导体层进行第一刻蚀处理。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成第一栅极以及与所述第一栅极间隔的第二栅极的步骤，包括：在所述衬底基板上形成栅极层；对所述栅极层进行第三刻蚀处理，以形成第一栅极以及与所述第一栅极间隔的第二栅极。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述半导体层包括第一部分和第二部分，所述对所述源...

【专利技术属性】
技术研发人员：李金明，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44