半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法包括于鳍结构上方形成第一虚设栅极结构、第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构。于第一虚设栅极结构、第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构上方形成硬遮罩图案层。第一虚设栅极结构从硬遮罩图案层暴露出来。移除第一虚设栅极结构及其下方的鳍结构，以形成沟槽。于沟槽中形成隔绝结构。分别以第一金属栅极结构和第二金属栅极结构置换第二虚设栅极结构和第三虚设栅极结构。隔绝结构的顶面分别对齐第一金属栅极结构的顶面和第二金属栅极结构的顶面。

Semiconductor Device and Its Manufacturing Method

The embodiment of the present invention provides a semiconductor device and a manufacturing method thereof. The manufacturing method of the semiconductor device includes forming a first virtual gate structure, a second virtual gate structure and a third virtual gate structure above the fin structure. A hard mask pattern layer is formed above the first virtual gate structure, the second virtual gate structure and the third virtual gate structure. The first virtual gate structure is exposed from the hard mask pattern layer. The first virtual gate structure and the fin structure below it are removed to form a groove. The isolation structure is formed in the groove. The second virtual gate structure and the third virtual gate structure are replaced by the first metal gate structure and the second metal gate structure respectively. The top surface of the isolation structure is aligned with the top surface of the first metal grid structure and the top surface of the second metal grid structure respectively.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术实施例涉及一种半导体装置及其制造方法，特别涉及一种鳍式场效晶体管之间的隔绝结构及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit,IC)产业历经了快速成长，集成电路材料及设计上的进步已产生了数代的集成电路，每一代皆具有体积更小且更精密的电路。在集成电路发展的进程上，功能密度(即，每一芯片的内连线装置的数量)逐渐增加的同时，几何尺寸(即，利用工艺步骤可以产生的最小元件(或线))逐渐缩小。此微缩化(scalingdown)工艺通常可提供增加产率及降低相关成本的优点。然而，这些进步亦增加了处理及制造集成电路的复杂度。由于特征尺寸持续地缩小，使得工艺步骤逐渐变得更难以操作。因此，形成尺寸越来越小且可靠的(reliable)半导体装置相当具有挑战性。
技术实现思路
依据本专利技术一些实施例，提供一种半导体装置的制造方法。上述制造方法包括于一半导体基板上方形成一鳍结构。上述制造方法包括于上述鳍结构上方形成一第一虚设栅极结构以及位于上述第一虚设栅极结构相对两侧的一第二虚设栅极结构和一第三虚设栅极结构。上述制造方法还包括于上述第一虚设栅极结构、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：于一半导体基板上方形成一鳍结构；于该鳍结构上方形成一第一虚设栅极结构以及位于该第一虚设栅极结构相对两侧的一第二虚设栅极结构和一第三虚设栅极结构；于该第一虚设栅极结构、该第二虚设栅极结构和该第三虚设栅极结构上方形成一硬遮罩图案层，其中该第一虚设栅极结构从该硬遮罩图案层暴露出来；移除从该硬遮罩图案层暴露出来的第一虚设栅极结构以及位于该第一虚设栅极结构下方的部分该鳍结构，以形成一沟槽；于该沟槽中形成由一第一介电材料形成的一隔绝结构；以及分别以一第一金属栅极结构和一第二金属栅极结构置换该第二虚设栅极结构和该第三虚设栅极结构，其中该隔绝结构的一顶面...

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：于一半导体基板上方形成一鳍结构；于该鳍结构上方形成一第一虚设栅极结构以及位于该第一虚设栅极结构相对两侧的一第二虚设栅极结构和一第三虚设栅极结构；于该第一虚设栅极结构、该第二虚设栅极结构和该第三虚设栅极结构上方形成一硬遮罩图案层，其中该第一虚设栅极结构从该硬遮罩图案层暴露出来；移除从该硬遮罩图案层暴露出来的第一虚设栅极结构以及位于该第一虚设栅极结构下方的部分该鳍结构，以形成一沟槽；于该沟槽中形成由一第一介电材料形成的一隔绝结构；以及分别以一第一金属栅极结构和一第二金属栅极结构置换该第二虚设栅极结构和该第三虚设栅极结构，其中该隔绝结构的一顶面分别对齐该第一金属栅极结构的一顶面和该第二金属栅极结构的一顶面。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括：于该第一金属栅极结构、该第二金属栅极结构和该隔绝结构的上方形成一内连线结构，其中该内连线结构的一绝缘部分接触该隔绝结构的该顶面。3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括：形成该硬遮罩图案层之前，于该鳍结构中形成多个源极/漏极结构，其中多个所述源极/漏极结构与该第一虚设栅极结构、该第二虚设栅极结构和该第三虚设栅极结构交错设置；以及于多个所述源极/漏极结构上方且于该第一虚设栅极结构、该第二虚设栅极结构和该第三虚设栅极结构之间形成由一第二介电材料形成的一层间介电层。4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中形成该硬遮罩图案层包括：于该第一虚设栅极结构、该第二虚设栅极结构和该第三虚设栅极结构上方形成一硬掩膜层；于该硬掩膜层上方形成一图案化光致抗蚀剂层，其中该第三虚设栅极结构从该图案化光致抗蚀剂层暴露出来；以及以该图案化光致抗蚀剂层为一蚀刻遮罩，移除从该图案化光致抗蚀剂层暴露出来的部分该硬掩膜层。5.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中于该沟槽中形成由该第一介电材料形成的该隔绝结构之前，于该沟槽的侧壁和一底面上形成由该第二介电材料形成一介电材料衬垫层。6.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中分别以该第一金属栅极结构和该第二金属栅极结构置换该第一虚设栅极结构和该第二虚设栅极结构包括：移除该第一虚设栅极结构和该第二虚设栅极结构，以于该层间介电层中分...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕祐，江宗育，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71