A semiconductor structure and its forming method include: providing a base, having fins on the base, fins comprising several first regions and a second region between adjacent first regions, opening in the second region of the fin, forming an initial isolation layer on the base, side walls and openings of the fin, and forming a preservation layer on the first region of the fin part on both sides of the initial isolation layer and the initial isolation layer. The protective structure includes: the first protective layer and the second protective layer located on the side wall of the first protective layer; the initial protective layer is removed by etching process to form an isolation layer, the surface of the isolation layer is lower than the top of the fin, and part of the side wall of the fin is covered. In the process of etching the initial protective layer, the rate of etching the first protective layer is less than etching the second protective layer. Layer rate. The device has good performance.
【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体器件集成度的提高，晶体管的关键尺寸不断缩小。然而，随着晶体管尺寸的急剧减小，栅介质层厚度与工作电压不能相应改变使抑制短沟道效应的难度加大，使晶体管的沟道漏电流增大。鳍式场效应晶体管(FinField-EffectTransistor,FinFET)的栅极成类似鱼鳍的叉状3D架构。FinFET的沟道凸出衬底表面形成鳍部，栅极覆盖鳍部的顶面和侧壁，从而使反型层形成在沟道各侧上，可于鳍部的两侧控制电路的接通与断开。为了进一步提高半导体器件的集成度，一种方法是在鳍部内形成隔离结构，后续在所述隔离结构上形成替代栅极结构。然而，形成所述替代栅极结构的难度较大。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以降低形成替代栅极结构的难度。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有鳍部，所述鳍部包括若干第一区和位于相邻第一区之间的第二区，所述鳍部第二区内具有开口；在所述基底上、鳍部的侧壁和开口内形...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有鳍部，所述鳍部包括若干第一区和位于相邻第一区之间的第二区，所述鳍部的第二区内具有开口；在所述基底上、鳍部的侧壁和开口内形成初始隔离层；在所述初始隔离层和初始隔离层两侧的鳍部部分第一区上形成保护结构，所述保护结构包括：第一保护层和位于第一保护层侧壁的第二保护层；采用刻蚀工艺去除部分初始隔离层，形成隔离层，所述隔离层的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁，在所述刻蚀去除部分初始隔离层的过程中，刻蚀第一保护层的速率小于刻蚀第二保护层的速率。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有鳍部，所述鳍部包括若干第一区和位于相邻第一区之间的第二区，所述鳍部的第二区内具有开口；在所述基底上、鳍部的侧壁和开口内形成初始隔离层；在所述初始隔离层和初始隔离层两侧的鳍部部分第一区上形成保护结构，所述保护结构包括：第一保护层和位于第一保护层侧壁的第二保护层；采用刻蚀工艺去除部分初始隔离层，形成隔离层，所述隔离层的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁，在所述刻蚀去除部分初始隔离层的过程中，刻蚀第一保护层的速率小于刻蚀第二保护层的速率。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始隔离层的材料包括：氧化硅。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀去除部分初始隔离层的过程中，部分所述保护结构的顶部被去除。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成隔离层的工艺包括：湿法刻蚀工艺；所述湿法刻蚀工艺的参数包括：刻蚀剂包括氢氟酸溶液，刻蚀剂的质量百分比浓度为0.1％～1％。5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述隔离层的过程中，第一保护层和第二保护层的刻蚀选择比为：10：1～200：1。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层厚度为：2纳米～30纳米。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护结构的形成步骤包括：在所述初始隔离层和鳍部上形成掩膜层，所述掩膜层具有掩膜开口，所述掩膜开口的底部暴露出初始隔离层和初始隔离层两侧的鳍部部分第一区的顶部表面；在所述掩膜开口内形成所述保护结构。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿鳍部延伸方向上，所述掩膜开口的尺寸为：32纳米～80纳米。9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括：非晶硅、氮化钛或者氮化硅。10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括非晶硅或者氮化钛时，所述第一保护层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅或者氮硼化硅；所述第二保护层的材料包括：氧化硅。11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化硅时，所述第一保护层的材料包括氧化硅，所述第一保护层中具有掺杂离子，所述掺杂离子包括硅离子或...
【专利技术属性】
技术研发人员：周飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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