由N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件制造技术

本发明专利技术公开了一种由N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件，晶体管和耦合电容位于一P阱中，由场氧或者STI隔离；所述晶体管由栅极，以及由重掺杂N型区形成的源漏区组成；所述的耦合电容，上极板由衬底表面的多晶硅形成，下极板由NLDD以及位于NLDD中的重掺杂N型区形成。所述耦合电容的上极板的宽度不大于NLDD或者重掺杂N型区横向结深的2倍，以保证最大的电容利用效率。所述晶体管的栅极宽度不大于耦合电容的宽度，以优化耦合电容和晶体管电容的耦合比。

【技术实现步骤摘要】
由N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件
本专利技术涉及半导体器件领域，特别是指一种由N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件(OTP)。
技术介绍
现有的N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件主要有以下几种类型：第一种，如图1所示，图中左侧为晶体管，右侧为电容。晶体管位于P阱中，而电容位于N阱中,晶体管和电容分别具有NLDD和PLDD结构。这种结构晶体管源漏注入与正常的NMOS一致，电容的下极板由N阱和重掺杂P型区组成。该结构的缺点在于：OTP晶体管的尺寸为正常器件的80％左右；OTP晶体管的源漏与正常器件一致，热载流子写入效率及时间受限制；电容下极板需要满足阱隔离，电容面积大。第二种，如图2所示，图中左侧为晶体管，右侧为电容，两部分一起位于同一个P阱中，晶体管具有NLDD结构，而电容具有一个较大的N-掺杂区。这种结构晶体管源漏注入与正常NMOS一致，电容下极板由一次额外的N-注入形成。该结构的缺点在于：OTP晶体管的尺寸为正常器件的80％左右；OTP晶体管的源漏与正常器件一致，热载流子写入效率及时间受限制；需要一次额外的N-注入。第三种，如图3所示，图中左侧为晶体管，右侧为电容，两本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种由N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件，其特征在于：晶体管和耦合电容位于一P阱中，由场氧或者STI隔离；所述晶体管由栅极，以及由重掺杂N型区形成的源漏区组成；所述的耦合电容，上极板由衬底表面的多晶硅形成，下极板由NLDD以及位于NLDD中的重掺杂N型区形成。

【技术特征摘要】
1.一种由N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件，其特征在于：晶体管和耦合电容位于一P阱中，由场氧或者STI隔离；所述晶体管由栅极，以及由重掺杂N型区形成的源漏区组成；所述的耦合电容，上极板由衬底表面的多晶硅形成，下极板由NLDD以及位于NLDD中的重掺杂N型区形成。2.如权利要求1所述的由N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件，其特征在于：所述晶体管的栅极以及耦合电容的上极板，由同一多晶硅刻蚀形成。3.如权利要求1所述的由N型电容耦合晶体管构成的一次可编程器件，其特征在于：所述耦合电容的下极板是每个单元独立，或者是多个单元的有源...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑜，袁苑，陈华伦，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31