【技术实现步骤摘要】
静电放电装置相关领域的交叉引用本申请要求在2017年6月20日提交的、美国临时专利申请序号为62/522,176、标题为“具有嵌入式横向SCR的双二极管ESD单元实现分布式电源ESD网络”(“Dual-DiodeESDCellWithEmbeddedLateralSCRToEnableDistributedPowerSupplyESDNetwork”)的申请的优先权，在此通过引用将其全部内容并入本文。
技术介绍
由于经封装集成电路的一个或更多个引脚(或球或引线)上的电压尖峰或跳动引起的静电放电(ESD)能量可能损坏集成电路。ESD装置(或ESD单元)通过将受影响的引脚短接到接地轨和电源轨来帮助保护敏感集成电路免受ESD能量损害。期望ESD装置在耗散ESD能量方面是有效的，同时在集成电路中消耗相对小的硅面积。
技术实现思路
根据本专利技术的至少一个实施例，ESD装置包括：半导体；焊盘；接地轨；在半导体中形成的p阱；在p阱中形成并且电耦合到接地轨的第一p型区；在p阱中形成并且电耦合到焊盘的第一n型区；在p阱中形成并且电耦合到接地轨的第二n型区；在半导体中形成的n阱；在n阱中形成...
【技术保护点】
1.一种静电放电装置，其包括：半导体；焊盘；接地轨；p阱，其在所述半导体中形成；第一p型区，其在所述p阱中形成并且电耦合到所述接地轨；第一n型区，其在所述p阱中形成并且电耦合到所述焊盘；第二n型区，其在所述p阱中形成并且电耦合到所述接地轨；n阱，其在所述半导体中形成；第一n型区，其在所述n阱中形成；第一p型区，其在所述n阱中形成并且电耦合到所述焊盘；以及第二p型区，其在所述n阱中形成并且电耦合到在所述n阱中形成的所述第一n型区。
【技术特征摘要】
2017.06.20 US 62/522,176;2017.12.07 US 15/835,3961.一种静电放电装置，其包括：半导体；焊盘；接地轨；p阱，其在所述半导体中形成；第一p型区，其在所述p阱中形成并且电耦合到所述接地轨；第一n型区，其在所述p阱中形成并且电耦合到所述焊盘；第二n型区，其在所述p阱中形成并且电耦合到所述接地轨；n阱，其在所述半导体中形成；第一n型区，其在所述n阱中形成；第一p型区，其在所述n阱中形成并且电耦合到所述焊盘；以及第二p型区，其在所述n阱中形成并且电耦合到在所述n阱中形成的所述第一n型区。2.根据权利要求1所述的静电放电装置，其中所述接地轨处于接地电位。3.根据权利要求1所述的静电放电装置，还包括：集成电路封装；以及I/O封装引脚，其中所述焊盘电耦合到所述I/O封装引脚。4.根据权利要求1所述的静电放电装置，其中在所述p阱中形成的所述第一p型区被高掺杂，以与所述p阱形成欧姆接触，并且在所述n阱中形成的所述第一n型区被高掺杂，以与所述n阱形成欧姆接触。5.根据权利要求4所述的静电放电装置，还包括：电源轨，其电耦合到在所述n阱中形成的所述第一n型区和在所述n阱中形成的所述第二p型区。6.根据权利要求5所述的静电放电装置，还包括：集成电路封装；以及I/O封装引脚，其中所述焊盘电耦合到所述I/O封装引脚。7.根据权利要求6所述的静电放电装置，其中所述接地轨处于接地电位。8.根据权利要求1所述的静电放电装置，还包括：电源轨，其电耦合到在所述n阱中形成的所述第一n型区和在所述n阱中形成的所述第二p型区。9.根据权利要求1所述的静电放电装置，还包括：在所述p阱中形成的第二p型区。10.根据权利要求9所述的静电放电装置，还包括：触发电路，其电耦合到在所述n阱中形成的所述第一n型区和所述接地轨，并且包括输出端口，所述输出端口电耦合到在所述p阱中形成的所述第二p型区。11.根据权利要求10所述的静电放电装置，还包括：电源轨，其电耦合到在所述n阱中形成的所述第一n型区；其中所述触发电路包括RC电路，所述RC电路包括电阻器和与所述电阻器串联的电容器，其中所述RC电路电耦合到在所述n阱中形成的所述第一n型区和所述接地轨。12.根据权利要求11所述的静电放电装置，其中所述触发电路还包括：耦合到所述RC电路的触发缓冲器，所述触发缓冲器响应于所述焊盘上的电压尖峰而在所述触发电路的所述输出端口处拉电流。13.根据权利要求9所述的静电放电装置，还包括：在所述n阱中形成的第二n型区；以及电源轨，其电耦合到在所述n阱中形成的所述第一n型区和在所述n阱中形成的所述第二p型区。14.根据权利要求13所述的静电放电装置，还包括：触发电路，其电耦合到所...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·博塞利，M·Y·阿里，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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