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本申请公开了静电放电装置。根据至少一个实施例，ESD装置(100)包括：半导体(102)；焊盘(106)；接地轨(110)；在半导体中形成的p阱(112)；在p阱中形成并且电耦合到接地轨的第一p型区(116)；在p阱中形成并且电耦合到焊盘的...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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