【技术实现步骤摘要】
静电放电(ESD)保护电路
本技术涉及一种用于保护集成电路免受过电压并且特别是防止静电放电的装置。
技术介绍
图1示出了用于集成电路中的静电放电(ESD)保护的常规电源钳位电路10的电路图。电源钳位电路10由耦合在集成电路的第一电源线14和集成电路的第二电源线16之间的晶体管开关电路12形成。第一电源线14被耦合到集成电路的正电源焊盘22，第二电源线16被耦合到集成电路的负电源焊盘或接地电源焊盘24。待保护的功能电路28也耦合在第一电源线14和第二电源线16之间。晶体管开关电路12具有耦合到第一电源线14的第一导电端子32和耦合到第二电源线16的第二导电端子34。晶体管开关电路12的控制端子36接收由触发电路40产生的触发信号，触发电路40分别感测第一或第二电源线14和16中的瞬态电压差，并响应于感测到的差而启动以断言(assert)触发信号。在一个实施例中，晶体管开关电路12包括n沟道MOSFET器件，其中第一导电端子32是漏极端子，第二导电端子34是源极端子并且控制端子36是栅极端子。触发电路40包括ESD检测电路42和触发信号调节电路44。在本领域中也称为转...
【技术保护点】
1.一种静电放电(ESD)保护电路，其特征在于，包括：第一电源线；第二电源线；开关电路，具有连接到所述第一电源线的第一传导端子、连接到所述第二电源线的第二传导端子和栅极控制端子；触发电路，用于响应于在所述第一电源线和所述第二电源线中的一个或多个电源线处检测到ESD事件而在所述开关电路的所述栅极控制端子处断言触发信号；以及独立于电压的电流发生器电路，由所述第一电源线和所述第二电源线供电，用以产生控制所述触发信号的解除断言的偏置电流。
【技术特征摘要】
2017.11.28 US 15/823,8631.一种静电放电(ESD)保护电路，其特征在于，包括：第一电源线；第二电源线；开关电路，具有连接到所述第一电源线的第一传导端子、连接到所述第二电源线的第二传导端子和栅极控制端子；触发电路，用于响应于在所述第一电源线和所述第二电源线中的一个或多个电源线处检测到ESD事件而在所述开关电路的所述栅极控制端子处断言触发信号；以及独立于电压的电流发生器电路，由所述第一电源线和所述第二电源线供电，用以产生控制所述触发信号的解除断言的偏置电流。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括功能电路，所述功能电路被电耦合至所述第一电源线和所述第二电源线，用于为所述功能电路供电。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述开关电路是MOSFET器件，并且所述开关电路的第一传导端子是连接到所述第一电源线的漏极端子，并且所述第二传导端子是连接到所述第一电源线的源极端子。4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述触发电路包含电阻电容ESD检测电路，所述电阻电容ESD检测电路被配置为响应于所述ESD事件而断言ESD检测信号。5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述触发电路还包括与所述电阻电容ESD检测电路的电容器并联耦合的二极管。6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述触发电路进一步包括与所述电阻电容ESD检测电路的电阻器并联耦合的MOSFET电容器。7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述触发电路包括：ESD检测电路，被配置为响应于所述ESD事件而断言ESD检测信号；反相器电路，具有输入，并具有产生所述触发信号的输出；第一晶体管，具有连接在所述反相器电路的输入与所述第二电源线之间的源极-漏极路径以及被耦合以接收所述ESD检测信号的控制栅极；以及第二晶体管，具有连接在所述反相器电路的输入和所述第一电源线之间的源极-漏极路径以及被耦合到所述独立于电压的电流发生器电路的输出的控制栅极。8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述偏置电流从所述第二晶体管的源极-漏极路径输出。9.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述ESD检测电路包括与所述第一电源线和产生所述ESD检测信号的输出之间的电容器并联耦合的二极管以及与所述第二电源线和产生所述ESD检测信号的输出之间的电阻器并联耦合的MOSFET电容器。10.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括电阻器，所述电阻器具有连接到所述开关电路的所述栅极控制端子的第一端子和连接到所述第二电源线的第二端子。11.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述独立于电压的电流发生器电路与绝对温度(PTAT)电流发生器电路成比例。12.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述触发电路包括：ESD检测电路，被配置为响应于...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·巴特瑞，R·斯坦安达姆，
申请(专利权)人：意法半导体国际有限公司，
类型：新型
国别省市：荷兰,NL
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