【技术实现步骤摘要】
浸润式曝光后移除残留水滴的装置
本技术涉及半导体储存器技术，特别涉及内存组件装置构造及流程，尤其涉及浸润式曝光后移除残留水滴的装置。
技术介绍
随着半导体制造技术持续地发展，进入到更小的特征尺寸阶段，例如65nm、45nm及以下技术节点，业内逐步开始采用了浸润式光刻工艺。浸润式光刻工艺通常包括在半导体晶片上表面(例如，薄膜叠层)涂布光刻胶、以及之后对该光刻胶曝光以得到图案。在使用浸润式光刻装置的曝光期间，可以使用去离子水填满曝光镜头与光刻胶表面之间的空间，以增加聚焦景深的适用范围。之后，可以进行一个或多个曝光后烘烤和/或其它工艺，以使上述高分子致密和/或使任何在其它目标间的溶剂蒸发。接着，可以借由显影移除曝光后不需要的光刻胶，可以使用如四甲基氢氧化铵的显影溶液得到所需要的光刻胶图案。接着，可以进行去离子水清洗以移除水溶性高分子或其它溶解的光刻胶成分，并可以进行旋转干燥工艺以干燥晶片。之后，可以移动曝光、显影后的晶片进行后续工艺，或者也可以在借由烘烤以使光刻胶表面的水汽蒸发后再进行移动。对于现有的浸润式光刻工艺，由于曝光过程中，在晶圆和透镜之间的水相对于晶圆而言是随...
【技术保护点】
1.一种浸润式曝光后移除残留水滴的装置，其特征在于，包括载台及在所述载台上扫描移动的扫描式液气双相清洁器，所述扫描式液气双相清洁器具有喷嘴，所述喷嘴的喷口包括液体喷口和气体喷口。
【技术特征摘要】
2018.01.02 CN 20181000232661.一种浸润式曝光后移除残留水滴的装置，其特征在于，包括载台及在所述载台上扫描移动的扫描式液气双相清洁器，所述扫描式液气双相清洁器具有喷嘴，所述喷嘴的喷口包括液体喷口和气体喷口。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气体喷口倾斜朝向所述液体喷口。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述液体喷口的宽度小于所述气体喷口的宽度。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述液体喷口的宽度介于10毫米～35毫米，所述气体喷口的宽度介于1...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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