光刻曝光设备制造技术

本实用新型专利技术涉及光刻曝光设备组件装置构造，具体为一种光刻曝光设备，该光刻曝光设备，包括依次设置的用于暂储晶圆的等待区、用于搬移晶圆的机械手臂与用于曝光晶圆的曝光区，在等待区和曝光区之间设置有供机械手臂通行的过渡区风淋室，过渡区风淋室上方设置有风管组，风管组包括进风口、出风口一与出风口二；出风口一通过第一支管与等待区相连通，出风口二通过第二支管与过渡区风淋室相连通。本实用新型专利技术通过对光刻曝光设备的改进，使得晶圆在运输过程中能保持温度波动很小，晶圆自身温度均匀性变好，大大减少了热效应对晶圆表面的影响，使得后续光刻曝光步骤中晶圆叠对误差进一步减少，从而提升了晶圆良率。

【技术实现步骤摘要】
光刻曝光设备
本技术涉及光刻曝光设备组件装置构造，具体为一种光刻曝光设备。
技术介绍
光刻机(MaskAligner)又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻机采用掩膜对准光刻，所以英文名叫MaskAlignmentSystem。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。光刻(Photolithography)意思是用光来制作一个图形；具体的，就是在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移到光刻胶上的过程；通过光刻可以将器件或电路结构“复制”到硅片上。高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常在十几纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有7000万美金的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML，日本Nikon和日本Canon三大品牌为主。半导体光刻工艺中起到至关重要的部件是光刻曝光设备组件，目前，在光刻过程中，晶圆从等待区搬移至曝光区会产生20mK左右的温度差，由于半导体器件是由很多层电路重叠而成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻曝光设备，包括依次设置的用于暂储晶圆的等待区、用于搬移晶圆的机械手臂与用于曝光晶圆的曝光区，其特征在于，在所述等待区和所述曝光区之间设置有供所述机械手臂通行的过渡区风淋室，所述过渡区风淋室上方设置有风管组，所述风管组包括进风口、出风口一与出风口二；所述出风口一通过第一支管与所述等待区相连通，所述出风口二通过第二支管与所述过渡区风淋室相连通；所述进风口通入用于维持所述等待区与所述过渡区风淋室温度的热风，以使晶圆由所述等待区加载至所述曝光区的过程中保持恒温。

【技术特征摘要】
2018.03.21 CN 20181023328131.一种光刻曝光设备，包括依次设置的用于暂储晶圆的等待区、用于搬移晶圆的机械手臂与用于曝光晶圆的曝光区，其特征在于，在所述等待区和所述曝光区之间设置有供所述机械手臂通行的过渡区风淋室，所述过渡区风淋室上方设置有风管组，所述风管组包括进风口、出风口一与出风口二；所述出风口一通过第一支管与所述等待区相连通，所述出风口二通过第二支管与所述过渡区风淋室相连通；所述进风口通入用于维持所述等待区与所述过渡区风淋室温度的热风，以使晶圆由所述等待区加载至所述曝光区的过程中保持恒温。2.根据权利要求1所述光刻曝光设备，其特征在于，所述风管组提供清洁干燥空气形成的热风至所述过渡区风淋室。3.根据权利要求1所述光刻曝光设备，其特征在于，所述过渡区风淋室的框架材质为不锈钢，所述过渡区风淋室框架材质的密度与所述机械手臂材质的密度一...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34