【技术实现步骤摘要】
清除装置和光刻设备
本技术涉及半导体制造设备
，尤其涉及一种清除装置和光刻设备。
技术介绍
一种如图1所示的光刻设备，主要由以下一些关键分系统构成：物镜透镜组110，支撑所有运动和测量机构的框架120，承载硅片的工件台130，工件台定位测量传感器140，承载掩模的掩模台150，掩模台定位测量传感器160，硅片水平向位置测量传感器170，掩模位置测量传感器180，硅片垂向位置测量传感器190等。这些分系统中，最核心的是工件台的定位(即定位分系统)，通常采用高精度传感器作为定位传感器。为提高产率、定位精度，承载硅片的工件台的定位通过使用高精度平面光栅尺140作为定位测量传感器，如图1和图2所示，平面光栅尺140包括光栅面板141和读头142，光栅面板141安装在框架120上；读头142安装在工件台130上，读头包含激光发射器142A和激光接收器142B，光栅面板141衍射激光发射器142A发射的激光，激光接收器142B接收衍射的激光。当工件台130发生运动时由于多普勒效应，激光接收器142B接收衍射的激光产生频差，利用该频差能够测量工件台130高精度位移。一个读...
【技术保护点】
1.一种清除装置，其特征在于，所述清除装置包括：吸附单元和负压通道；所述吸附单元面向待清除物的承载面设置于一工件台表面，所述负压通道位于所述工件台内部，所述负压通道和所述吸附单元连通并向所述吸附单元提供负压。
【技术特征摘要】
1.一种清除装置，其特征在于，所述清除装置包括：吸附单元和负压通道；所述吸附单元面向待清除物的承载面设置于一工件台表面，所述负压通道位于所述工件台内部，所述负压通道和所述吸附单元连通并向所述吸附单元提供负压。2.如权利要求1所述的清除装置，其特征在于，所述吸附单元为柱体结构，所述吸附单元的中心开设有通孔，所述通孔的孔径尺寸为1mm～10mm。3.如权利要求1所述的清除装置，其特征在于，所述清除装置还包括存储单元，所述存储单元位于所述工件台内部，所述存储单元的顶部与所述吸附单元连通，所述存储单元的侧部与所述负压通道连通。4.如权利要求3所述的清除装置，其特征在于，所述清除装置还包括防污通道，所述防污通道位于所述工件台内部，所述防污通道一端与所述存储单元的底部连通，所述防污通道的另一端贯穿到所述工件台外部，所述防污通道内注入一定量的洁净液体。5.如权利要求4所述的清除装置，其特征在于，所述防污通道倾斜设置在所述工件台内，所述防污通道与所述存储单元的底部连通的一端高于贯穿到所述工件台外部的另一端...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴丽丽，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31
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