【技术实现步骤摘要】
一种改进式静电夹盘吸附用衬底和半导体芯片器件晶圆
本技术涉及半导体制造工艺
，尤其涉及一种改进式静电夹盘吸附用衬底与半导体芯片器件晶圆。
技术介绍
半导体工艺机台随着器件性能的改进而进步。为达到高方向性的等离子化学反应蚀刻如背面穿孔，通常可以使用高真空、高等离子密度、可加偏压的机台，如ICPRIE。刻蚀必须在低压进行，然而由于低压不利于转移热能，因此需要一个背面氦气冷却系统来转移晶圆上热能，所以同时也需要静电夹盘（E-Chuck）来防止背面的高压氮气将晶圆吹走。在通常情况下，静电夹盘可良好吸附高介电常数（>6）的衬底，但对低介电常数（<5）衬底的吸附能力则常不足而造成散热及膨胀翘曲导致工艺失败，甚至掉片的问题，进而严重影响工艺良品率。当在进行碳化硅基或硅基氮化镓器件晶圆背面工艺时，由于需要研磨、减薄、光刻、通孔刻蚀等操作，通常需要先把氮化镓晶圆键合在衬底/载片上。为防止晶圆的翘曲影响背面工艺，使用的衬底/载片的热伸张系数需与碳化硅或硅接近。然而由于碳化硅的成本非常昂贵（通常六寸碳化硅的每片价格为人民币6到8万），因此可用便宜且热伸...
【技术保护点】
1.一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：包括：低介电常数衬底；高介电常数介质薄膜层，所述的高介电常数介质薄膜层的顶端与所述低介电常数衬底连接，所述的高介电常数介质薄膜层的底端与静电夹盘接触。
【技术特征摘要】
1.一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：包括：低介电常数衬底；高介电常数介质薄膜层，所述的高介电常数介质薄膜层的顶端与所述低介电常数衬底连接，所述的高介电常数介质薄膜层的底端与静电夹盘接触。2.根据权利要求1所述的一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：所述的低介电常数衬底的介电常数小于5。3.根据权利要求2所述的一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：所述的低介电常数衬底包括石英衬底、Pyrex玻璃衬底和金属衬底。4.根据权利要求1或2所述的一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：所述的高介电常数介质薄膜层的介电常数大于6。5.根据权利要求4所述的一种改进式静电夹盘吸附用衬底，其特征在于：所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙锦洋，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51
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