组合掩膜版制造技术

本实用新型专利技术提供了一种组合掩膜版。第一掩膜版的第一线条和第二掩膜版的第二线条界定出内围阵列在由第三掩膜版的掩蔽图形所界定出的阵列区的区域范围内，并利用第三掩膜版的掩蔽图形和从内围阵列延伸出的第二线条进一步界定出边缘分格，如此即能够准确的界定出分格阵列，而不会额外界定出不希望界定出的分格。因此，在利用该组合掩膜版形成半导体器件时，相应的能够准确的制备出通孔阵列，而不会额外制备出不希望形成的孔。

【技术实现步骤摘要】
组合掩膜版
本技术涉及半导体
，特别涉及一种组合掩膜版以及一种半导体器件。
技术介绍
随着半导体技术的不断进步，半导体器件的工艺节点正不断减小，这也相应的使光刻工艺的窗口越来越小。基于此，双重图形的光刻技术被提出。例如，可利用双重图形的光刻技术制备出更为密集且尺寸更小的孔(Hole)阵列。具体的，用于界定出孔阵列的光刻工艺中，通常需要采用两个掩膜版，两个掩膜版上分别形成有两种沿着不同方向延伸的线条，从而在将两个掩膜版叠加以定义出的孔阵列时，两个掩膜版上的两种线条相交以界定出多个分格，一个分格即可对应一个孔。其中，在界定分格时，为确保所界定出的分格数量/位置能够与需形成的孔阵列对应，通常是使界定出的分格数量大于孔阵列中的孔数量，即界定出的多个分格中部分分格构成分格阵列，以对应所述孔阵列，以及多于分格阵列的分格排布在所述分格阵列的外围。为此，两个掩膜版上的两种线条均是从分格阵列的阵列区延伸至非阵列区中，从而可确保在阵列区中能够界定出分格阵列。此时，还需利用一个掩蔽掩膜版遮盖非阵列区中多余的分格，从而确保仅在阵列区中界定出分格阵列，而不会界定出非分格阵列的分格。然而，由两种线条相交所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合掩膜版，其特征在于，用于在一阵列区中界定出分格阵列，所述组合掩膜版包括：第一掩膜版，形成有多条平行的第一线条，所述第一线条完全对应在所述阵列区中；第二掩膜版，形成有多条平行的第二线条，所述第二线条对应贯穿所述阵列区并延伸至非阵列区中，所述第二掩膜版的所述第二线条用于和所述第一掩膜版的所述第一线条相交在所述阵列区中，以界定出所述分格阵列；以及，第三掩膜版，形成有掩蔽图形，所述掩蔽图形用于定义出所述阵列区，并用于掩蔽所述非阵列区；其中，所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版相互叠加时，利用第三掩膜版的所述掩蔽图形定义出所述阵列区，所述第一掩膜版的所述第一线条和所述第二掩膜版的所...

【技术特征摘要】
1.一种组合掩膜版，其特征在于，用于在一阵列区中界定出分格阵列，所述组合掩膜版包括：第一掩膜版，形成有多条平行的第一线条，所述第一线条完全对应在所述阵列区中；第二掩膜版，形成有多条平行的第二线条，所述第二线条对应贯穿所述阵列区并延伸至非阵列区中，所述第二掩膜版的所述第二线条用于和所述第一掩膜版的所述第一线条相交在所述阵列区中，以界定出所述分格阵列；以及，第三掩膜版，形成有掩蔽图形，所述掩蔽图形用于定义出所述阵列区，并用于掩蔽所述非阵列区；其中，所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版相互叠加时，利用第三掩膜版的所述掩蔽图形定义出所述阵列区，所述第一掩膜版的所述第一线条和所述第二掩膜版的所述第二线条相交以界定出多个第一分格在所述阵列区中，多个所述第一分格构成内围阵列；所述第二掩膜版的所述第二线条从所述内围阵列的边缘继续延伸至所述非阵列区中，并与所述第三掩膜版的所述掩蔽图形的边界相交，以利用所述第三掩膜版的所述掩蔽图形、所述第二掩膜版的所述第二线条和所述内围阵列的边界共同界定出多个边缘分格在所述内围阵列的外周围上，由所述边缘分格和所述内围阵列的所述第一分格共同构成所述分格阵列，并且所述边缘分格的开口尺寸大于所述第一分格的开口尺寸。2.如权利要求1所述的组合掩膜版，其特征在于，所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版相互叠加时，所述第二掩膜版的所述第二线条从所述内围阵列的边缘延伸出的部分与所述内围阵列的边界共同界定出多个第二分格，所述第二分格部分位于所述阵列区中并部分沿着所述第二线条的延伸方向延伸至所述非阵列区中；所述第三掩膜版的所述掩蔽图形局部遮盖所述第二分格中位于所述非阵列区中的部分，并使所述第二分格中位于所述阵列区中的部分暴露出用于构成所述边缘分格。3.如权利要求1所述的组合掩膜版，其特征在于，所述第三掩膜版的所述掩蔽图形界定出一矩形暴露区，所述矩形暴露区对应所述阵列区并用于暴露出所述分格阵列，并且所述矩形暴露区的直边用于定义出所述分格阵列的边界，以使所述分格阵列具有对应所述矩形暴露区直边的直线型边界。4.如权利要求3所述的组合掩膜版，其特征在于，所述第三掩膜版的所述矩形暴露区具有两条平行的第一暴露区直边和两条平行的第二暴露区直边，所述第一暴露区直边和所述第二暴露区直边垂直相交；其中，所述第一掩膜版的所述第一线条的延伸方向与所述第三掩膜版的所述第一暴露区直边平行，所述第二掩膜版的所述第二线条相交于所述第三掩膜版的所述第一暴露区直边和所述第二暴露区直边，以使所述内围阵列具有贴近于所述第二暴露区直边的波浪型边界，以及贴近于所述第一暴露区直边的直线型边界。5.如权利要求4所述的组合掩膜版，其特征在于，在所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版相互叠加时，所述第三掩膜版的所述第一暴露区直边和所述第二暴露区直边均设置在所述内围阵列的外周围，并均与所述第二线条中从所述内围阵列延伸出的部分相交，以界定出所述边缘分格在所述内围阵列的外周围上。6.如权利要求5所述的组合掩膜版，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴晗，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34