【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】产生无机薄膜的方法本专利技术属于在衬底上产生无机薄膜的方法，特别是原子层沉积方法的领域。随着持续小型化(例如在半导体工业中)，对衬底上的无机膜的需求增加，同时对该膜的质量要求变得更加严格。无机膜用于不同目的，例如阻隔层、电介质、导电特征、封盖或精细结构的隔离。已知有数种产生无机薄膜的方法，其中之一是在衬底上由气态沉积成膜化合物。为了在中等温度下使金属原子变为气态，必须提供挥发性前体，例如通过使金属与合适配体配位。在将配位的金属沉积至衬底之后，需要除去这些配体。用于气相沉积的金属配合物由现有技术已知。WO2008/142653以及US5130172公开己二烯基钴与供π配体(例如环戊二烯基)络合。然而，通过此类化合物获得的膜含有大量残余碳，其在诸多情形下为非所需的。Rinze在JournalofOrganometallicChemistry，第77卷(1974)，第259-264页公开环庚二烯基钴与三芳基膦共配体络合。然而，未给出关于气相沉积方法中的适用性的信息。本专利技术的目的为提供一种产生具有较低残余碳含量的无机薄膜的方法。此外，其针对采用可较易于合成及处置的化合物...
【技术保护点】
1.一种方法，包括使通式(I)化合物变为气态或气溶胶态，且将通式(I)化合物由气态或气溶胶态沉积至固体衬底上：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.15 EP 16165478.51.一种方法，包括使通式(I)化合物变为气态或气溶胶态，且将通式(I)化合物由气态或气溶胶态沉积至固体衬底上：其中R彼此独立地为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，p为1、2或3，M为Ni或Co，X为与M配位的供σ配体，其中若存在，则至少一个X为经由磷原子或氮原子与M配位的配体，m为1或2且n为0至3。2.根据权利要求1的方法，其中M为呈氧化态+1的Co或呈氧化态+2的Ni。3.根据权利要求2的方法，其中M为Co，m为1，且所有X均为中性供σ配体。4.根据权利要求2的方法，其中M为Ni，m为2，且n为0。5.根据权利要求1-4中任一项的方法，其中R彼此独立地为氢、甲基、乙基或异丙基。6.根据权利要求1-5中任一项的方法，其中该经沉积的通式(I)化合物暴露于还原剂。7.根据权利要求1-6中任一项的...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·林伯格，D·勒夫勒，H·威尔默，M·沃特尔，M·雷纳斯，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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