光刻方法、刻蚀方法及半导体结构技术

本发明专利技术提供一种光刻方法、刻蚀方法及半导体结构，光刻方法包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆包括有效区域及边缘区域；有效区域内包括若干个间隔分布的芯片区以及芯片区之间的第一切割道，边缘区域内包括若干个间隔分布的畸零区以及畸零区之间的第二切割道，芯片区和畸零区之间形成有第三切割道；2）于晶圆上形成牺牲阻挡层，覆盖边缘区域的畸零区及至少一第二切割道；3）于步骤2）所得结构的上形成第一光刻胶层，连续式覆盖有效区域及边缘区域上牺牲阻挡层；4）进行晶圆曝光及显影，以将第一光刻胶层进行图形化处理；显影后，保留牺牲阻挡层的覆盖图形。本发明专利技术可以避免边缘缺陷的产生，艺简单，可以显著提高产量，节约生产成本，便于量产。

【技术实现步骤摘要】
光刻方法、刻蚀方法及半导体结构
本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种光刻方法、刻蚀方法及半导体结构。
技术介绍
在现有半导体工艺中，如图1所示，一片晶圆10中一般会被分为若干个间隔排布的芯片区域11，位于所述晶圆10中部区域的均为完整的芯片区111，而位于晶圆10边缘的芯片区域会只有部分区域位于所述晶圆10上，即位于所述晶圆10边缘的会为若干个不完整的芯片区域，即畸零区112。在对所述晶圆10进行全晶圆曝光显影时，所述无效区域112也会被一并曝光显影，在后续工艺过程中，在对所述芯片区111进行加工处理的过程中会一并对所述无效区域112进行加工处理，这对于某些半导体工艺(譬如，电容器多晶硅层刻蚀光刻刻蚀工艺)来说会带来边缘缺陷(WaferEdgeDefect)。为了避免边缘缺陷的产生，现有的一般做法是在对所述芯片区111进行曝光显影之前，使用不同的不会别曝光显影的遮挡盲块12(BlindShot)将位于所述晶圆10边缘的所有所述畸零区112进行遮盖(如图2所示)，然后再对所述芯片区111进行曝光显影。采用上述方法虽然可以避免位于所述晶圆10边缘的所述畸零区112曝光显影，但由于位于所述晶圆10边缘的所述畸零区112的形状各异，若实现对所有所述畸零区112的遮盖，需要使用多个规格的所述遮挡盲块12，在现有的工艺中，实现对一片所述晶圆10中所有的所述畸零区112完全遮盖所使用的所述遮挡盲块12甚至多大30多个(需要说明的是，图2中仅示意出所述第一遮挡盲块121、所述第二遮挡盲块122、所述第三遮挡盲块123、所述第四遮挡盲块124及所述第五遮挡盲块125这五个遮挡盲块对五个不同的所述畸零区112进行遮盖作为示例)；使用上述所述遮挡盲块12将所有的所述畸零区112完全遮盖需要花费很长的时间，频繁更换所述遮挡盲块12也很容易导致光刻设备故障，这必然会影响产率，无法实现量产；同时，很难实现所述遮挡盲块12与各所述畸零区112的精确套准，从而并无法彻底消除所述边缘缺陷。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种光刻方法、刻蚀方法及半导体结构，用于解决现有技术中存在的上述问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种光刻方法，所述光刻方法包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括有效区域及排列在所述有效区域外围的边缘区域；所述有效区域内包括若干个间隔分布的芯片区以及所述芯片区之间的第一切割道，所述边缘区域内包括若干个间隔分布的畸零区以及所述畸零区之间的第二切割道，所述芯片区和所述畸零区之间形成有第三切割道；2)于所述晶圆上形成牺牲阻挡层，所述牺牲阻挡层覆盖所述边缘区域的所述畸零区及至少一所述第二切割道；3)于步骤2)所得结构的上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层连续式覆盖所述有效区域及所述边缘区域上所述牺牲阻挡层；及4)进行晶圆曝光及显影，以将所述第一光刻胶层进行图形化处理；显影后，保留所述牺牲阻挡层的覆盖图形。优选地，步骤2)包括如下步骤：2-1)于所述晶圆上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层全面覆盖所述有效区域及所述边缘区域，所述第二光刻胶层包括负性光刻胶层；2-2)避开所述有效区域的曝光，对所述畸零区上的所述第二光刻胶层进行曝光；及2-3)将曝光后的所述第二光刻胶层进行显影，位于所述有效区域上的所述第二光刻胶层被去除，而位于所述畸零区上的所述第二光刻胶层被保留，以作为所述牺牲阻挡层。优选地，步骤3)中，形成的所述第一光刻胶层包括正性光刻胶层。优选地，步骤4)中，使用浸润式光刻设备对所述芯片区和所述畸零区上的所述第一光刻胶层进行全晶圆曝光及显影。优选地，步骤1)中提供的所述晶圆表面形成有电容器多晶硅层，所述电容器多晶硅层覆盖所述有效区域及所述边缘区域；所述牺牲阻挡层位于所述边缘区域内的所述电容器多晶硅层上，所述第一光刻胶层位于所述有效区域内的所述电容器多晶硅层上以及在所述边缘区域上的所述牺牲阻挡层上。优选地，步骤2)与步骤3)之间还包括如下步骤：于步骤2)所得结构的表面形成抗反射涂层，所述抗反射涂层覆盖所述有效区域及在所述边缘区域上的所述牺牲阻挡层；步骤3)中，所述第一光刻胶层覆盖于所述抗反射涂层的上表面。本专利技术还提供一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括有效区域及排列在所述有效区域外围的边缘区域；所述有效区域内包括若干个间隔分布的芯片区以及所述芯片区之间的第一切割道，所述边缘区域内包括若干个间隔分布的畸零区以及所述畸零区之间的第二切割道，所述芯片区和所述畸零区之间形成有第三切割道；2)于所述晶圆上形成牺牲阻挡层，所述牺牲阻挡层覆盖所述边缘区域的所述畸零区及至少一所述第二切割道；3)于步骤2)所得结构的上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层连续式覆盖所述有效区域及所述边缘区域上所述牺牲阻挡层；4)进行晶圆曝光及显影，以将所述第一光刻胶层进行图形化处理；显影后，保留所述牺牲阻挡层的覆盖图形；及5)依据图形化处理后的所述第一光刻胶层对所述晶圆进行刻蚀，以将图形化处理后的所述第一光刻胶层内的待转置图形转移至所述有效区域内。优选地，步骤2)包括如下步骤：2-1)于所述晶圆上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层全面覆盖所述有效区域及所述边缘区域，所述第二光刻胶层包括负性光刻胶层；2-2)避开所述有效区域的曝光，对所述畸零区上的所述第二光刻胶层进行曝光；及2-3)将曝光后的所述第二光刻胶层进行显影，位于所述有效区域上的所述第二光刻胶层被去除，而位于所述畸零区上的所述第二光刻胶层被保留，以作为所述牺牲阻挡层。优选地，步骤3)中，形成的所述第一光刻胶层包括正性光刻胶层。优选地，步骤4)中，使用浸润式光刻设备对所述芯片区和所述畸零区上的所述第一光刻胶层进行全晶圆曝光及显影。优选地，步骤2)与步骤3)之间还包括如下步骤：于步骤2)所得结构的表面形成抗反射涂层，所述抗反射涂层覆盖所述有效区域及在所述边缘区域上的所述牺牲阻挡层；步骤3)中，所述第一光刻胶层覆盖于所述抗反射涂层的上表面。优选地，步骤1)中提供的所述晶圆表面形成有电容器多晶硅层，所述电容器多晶硅层覆盖所述有效区域及所述边缘区域；所述牺牲阻挡层位于所述边缘区域内的所述电容器多晶硅层上，所述第一光刻胶层位于所述有效区域内的所述电容器多晶硅层上以及在所述边缘区域上的所述牺牲阻挡层上；步骤5)中，依据图形化处理后的所述第一光刻胶层对所述电容器多晶硅层进行刻蚀，以将图形化处理后的所述第一光刻胶层内的待转置图形转移至位于所述有效区域的所述电容器多晶硅层内。优选地，步骤5)之后还包括如下步骤：去除所述第一光刻胶层及所述牺牲阻挡层。本专利技术还提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：晶圆，所述晶圆包括有效区域及排列在所述有效区域外围的边缘区域；所述有效区域内包括若干个间隔分布的芯片区以及所述芯片区之间的第一切割道，所述边缘区域内包括若干个间隔分布的畸零区以及所述畸零区之间的第二切割道，所述芯片区和所述畸零区之间形成有第三切割道；牺牲阻挡层，覆盖于所述边缘区域的所述畸零区及至少一所述第二切割道；第一光刻胶层，连续式覆盖于所述有效区域及在所述边缘区域上所述牺牲阻挡层。优选地，所述牺牲阻挡层包括曝光显影后保留的第二光刻胶层，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻方法，其特征在于，所述光刻方法包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括有效区域及排列在所述有效区域外围的边缘区域；所述有效区域内包括若干个间隔分布的芯片区以及所述芯片区之间的第一切割道，所述边缘区域内包括若干个间隔分布的畸零区以及所述畸零区之间的第二切割道，所述芯片区和所述畸零区之间形成有第三切割道；2)于所述晶圆上形成牺牲阻挡层，所述牺牲阻挡层覆盖所述边缘区域的所述畸零区及至少一所述第二切割道；3)于步骤2)所得结构的上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层连续式覆盖所述有效区域及所述边缘区域上所述牺牲阻挡层；及4)进行晶圆曝光及显影，以将所述第一光刻胶层进行图形化处理；显影后，保留所述牺牲阻挡层的覆盖图形。

【技术特征摘要】
1.一种光刻方法，其特征在于，所述光刻方法包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括有效区域及排列在所述有效区域外围的边缘区域；所述有效区域内包括若干个间隔分布的芯片区以及所述芯片区之间的第一切割道，所述边缘区域内包括若干个间隔分布的畸零区以及所述畸零区之间的第二切割道，所述芯片区和所述畸零区之间形成有第三切割道；2)于所述晶圆上形成牺牲阻挡层，所述牺牲阻挡层覆盖所述边缘区域的所述畸零区及至少一所述第二切割道；3)于步骤2)所得结构的上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层连续式覆盖所述有效区域及所述边缘区域上所述牺牲阻挡层；及4)进行晶圆曝光及显影，以将所述第一光刻胶层进行图形化处理；显影后，保留所述牺牲阻挡层的覆盖图形。2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，步骤2)包括如下步骤：2-1)于所述晶圆上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层全面覆盖所述有效区域及所述边缘区域，所述第二光刻胶层包括负性光刻胶层；2-2)避开所述有效区域的曝光，对所述畸零区上的所述第二光刻胶层进行曝光；及2-3)将曝光后的所述第二光刻胶层进行显影，位于所述有效区域上的所述第二光刻胶层被去除，而位于所述畸零区上的所述第二光刻胶层被保留，以作为所述牺牲阻挡层。3.根据权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，步骤3)中，形成的所述第一光刻胶层包括正性光刻胶层。4.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，步骤4)中，使用浸润式光刻设备对所述芯片区和所述畸零区上的所述第一光刻胶层进行全晶圆曝光及显影。5.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，步骤1)中提供的所述晶圆表面形成有电容器多晶硅层，所述电容器多晶硅层覆盖所述有效区域及所述边缘区域；所述牺牲阻挡层位于所述边缘区域内的所述电容器多晶硅层上，所述第一光刻胶层位于所述有效区域内的所述电容器多晶硅层上以及在所述边缘区域内的所述牺牲阻挡层上。6.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，步骤2)与步骤3)之间还包括如下步骤：于步骤2)所得结构的表面形成抗反射涂层，所述抗反射涂层覆盖所述有效区域及在所述边缘区域上的所述牺牲阻挡层；步骤3)中，所述第一光刻胶层覆盖于所述抗反射涂层的上表面。7.一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括如下步骤：1)提供一晶圆，所述晶圆包括有效区域及排列在所述有效区域外围的边缘区域；所述有效区域内包括若干个间隔分布的芯片区以及所述芯片区之间的第一切割道，所述边缘区域内包括若干个间隔分布的畸零区以及所述畸零区之间的第二切割道，所述芯片区和所述畸零区之间形成有第三切割道；2)于所述晶圆上形成牺牲阻挡层，所述牺牲阻挡层覆盖所述边缘区域的所述畸零区及至少一所述第二切割道；3)于步骤2)所得结构的上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层连续式覆盖所述有效区域及所述边缘区域上所述牺牲阻挡层；4)进行晶圆曝光及显影，以将所述第一光刻胶层进行图形化处理；显影后，保留所述牺牲阻挡层的覆盖图形；及5)依据图形化处理后的所述第一光刻胶层对所述晶圆进行刻蚀，以将图形化处理后的所述第一光刻胶层内的待转置图形转移至所述有效区域内。8.根据权利要求7所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤2)包括如下步骤：2-1)于所述晶圆上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34