高压金属氧化物半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种高压金属氧化物半导体元件及其制造方法，该高压金属氧化物半导体元件包含：具有第一导电型的第一漂移区、第二导电型体区、具有第二导电型的多个第二漂移区、栅极、第一导电型源极区、第一导电型漏极、以及第二导电型体连接区。其中各第二漂移区于横向上邻接于第二导电型体区，其中多个第二漂移区沿着宽度方向排列，且大致平行，且各邻近的两个第二漂移区之间于宽度方向不相邻接，且各第二漂移区与第一导电型漏极由第一漂移区隔开。

【技术实现步骤摘要】
高压金属氧化物半导体元件及其制造方法
本专利技术涉及一种高压金属氧化物(MetalOxideSemiconductor，MOS)半导体元件，特别涉及一种可缩短布局单位间距的高压金属氧化物半导体元件。本专利技术还涉及高压金属氧化物半导体元件的制造方法。
技术介绍
图1A与1B分别显示一种现有技术的高压金属氧化物半导体元件(N型高压MOS元件1)的俯视图与对应的剖面图。如图1A与1B所示，高压MOS元件1形成于半导体基板11，其中该半导体基板11于纵向上，具有相对的上表面11’与下表面11”。高压MOS元件1包含：N型漂移区12、P型体区16、栅极13、N型源极14、N型漏极17、以及P型体连接区18。其中N型源极14形成于P型体区16中，且于P型体区16中，具有体连接区18，用以偏压P型体区16。图1A与1B中所示的现有技术，其缺点在于，当如图1A与1B中的N型高压金属氧化物半导体元件1用于一开关阵列时(例如以图1A中的单位间距D进行镜像复制而成为开关阵列，也就是，与另一高压MOS元件共享N型源极14以及P型体连接区18)，其单位间距D相对较大，因此N型高压MOS元件1的单位面积的电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压金属氧化物半导体元件，形成于一半导体基板，其中该半导体基板于一纵向上，具有相对的一上表面与一下表面，该高压金属氧化物半导体元件的特征在于，包含：一第一漂移区，具有第一导电型，形成于该半导体基板中，且于该纵向上，位于该上表面下方并连接于该上表面；一第二导电型体区，形成于该第一漂移区中，且于该纵向上，位于该上表面下方并连接于该上表面；多个第二漂移区，具有第二导电型，形成于该第一漂移区中，且于该纵向上，位于该上表面下方；一栅极，形成于该上表面上，且于该纵向上，部分该栅极堆叠并接触于部分该第二导电型体区的正上方，且另一部分该栅极堆叠于部分各该第二漂移区的正上方；一或多个第一导电型源极区，形...

【技术特征摘要】
1.一种高压金属氧化物半导体元件，形成于一半导体基板，其中该半导体基板于一纵向上，具有相对的一上表面与一下表面，该高压金属氧化物半导体元件的特征在于，包含：一第一漂移区，具有第一导电型，形成于该半导体基板中，且于该纵向上，位于该上表面下方并连接于该上表面；一第二导电型体区，形成于该第一漂移区中，且于该纵向上，位于该上表面下方并连接于该上表面；多个第二漂移区，具有第二导电型，形成于该第一漂移区中，且于该纵向上，位于该上表面下方；一栅极，形成于该上表面上，且于该纵向上，部分该栅极堆叠并接触于部分该第二导电型体区的正上方，且另一部分该栅极堆叠于部分各该第二漂移区的正上方；一或多个第一导电型源极区，形成于该第二导电型体区中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面，且于一横向上邻接于该栅极；第一导电型漏极，形成于该第一漂移区中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面，且于该横向上，与该第一导电型源极区由该第二导电型体区以及该第一漂移区隔开，且与该第二导电型体区由该第一漂移区隔开；以及一或多个第二导电型体连接区，形成于该第二导电型体区中，且于该纵向上，位于该上表面下方并接触于该上表面；其中各该第二漂移区于该横向上邻接于该第二导电型体区，其中该多个第二漂移区沿着一宽度方向排列，且大致平行，且各邻近的两个该第二漂移区之间于该宽度方向不相邻接，且各该第二漂移区与该第一导电型漏极由该第一漂移区隔开，且各该第二漂移区与该第一导电型源极由该第二导电型体区隔开。2.如权利要求1所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，该多个第一导电型源极区于该宽度方向大致平行排列，且各邻近的两个该第一导电型源极区之间于该宽度方向由第二导电型体连接区隔开，且该多个第二导电型体连接区于该宽度方向大致平行排列，且各邻近的两个该第二导电型体连接区之间于该宽度方向由第一导电型源极区隔开，且部分的各该第二导电型体连接区位于该栅极正下方。3.如权利要求2所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，该多个第二漂移区邻接于该第二导电型体连接区。4.如权利要求2所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，该多个第二漂移区与该多个第二导电型体连接区具有对应的数量，其中各该第二漂移区邻接于对应的各该第二导电型体连接区，且于该宽度方向各该第二漂移区不超出各该第二导电型体连接区。5.如权利要求1所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，于该横向上，该第二导电型体连接区邻接于该第一导电型源极区，且不与该栅极接触。6.如权利要求1所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，该多个第二漂移区接触于该上表面。7.如权利要求1所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，还包含一第二导电型深阱区，形成于该半导体基板中，且接触于该第二导电型体区，且于该纵向上，位于部分该第一漂移区下方，且部分该第二导电型深阱区位于该多个第二漂移区正下方。8.如权利要求1所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，还包含一第三漂移区，具有第一导电型，形成于该第一漂移区中，且于该纵向上，位于该上表面下方并连接于该上表面，且于该横向上，与该第一导电型源极区由该第二导电型...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄宗义，陈巨峰，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71