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本发明涉及一种高压金属氧化物半导体元件及其制造方法，该高压金属氧化物半导体元件包含：具有第一导电型的第一漂移区、第二导电型体区、具有第二导电型的多个第二漂移区、栅极、第一导电型源极区、第一导电型漏极、以及第二导电型体连接区。其中各第二漂移区...
该专利属于立锜科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过立锜科技股份有限公司授权不得商用。

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