对称高压的半导体功率器件结构制造技术

本发明专利技术提供了一种对称高压的半导体功率器件结构，其主要包括栅极、位于栅极下方的沟道、以及位于栅极下方两侧呈对称结构的源极区和漏极区。本发明专利技术的对称高压的半导体功率器件结构可以有效缩短沟道长度，减小对称高压的半导体功率器件结构的面积，提高集成电路的集成度，从而降低了集成电路的生产成本,提升对称高压的半导体功率器件结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
对称高压的半导体功率器件结构
本专利技术属于半导体器件设计制造领域，特别是涉及一种对称高压的半导体功率器件结构。
技术介绍
横向高压MOS(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件耐压高，易于集成，普遍应用于高压集成电路和功率集成电路。目前常用的有DEMOS(漏极延伸金属氧化物半导体场效应晶体管)和LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)两种结构。在需要源端和漏端都要耐高压的应用，目前常用方法是将两个高压的MOS管串联起来，但极大的增加了成本。也有使用对称结构的高压DDDMOS(双扩散漏金属氧化物半导体场效应晶体管)，DDDMOS可以看成DEMOS的一种变化，即在源端也使用漏极延伸的技术，从而达到源端和漏端均可耐高压的目的，以DDDNMOS(双扩散漏N型金属氧化物半导体场效应晶体管)为例，图1显示为现有的一种DDDMOS(双扩散漏金属氧化物半导体场效应晶体管)的结构示意图，其通常包含衬底P-SUB，栅极GATE，N型漂移区N-Drift以及N+源漏极。但由于mask(光刻板)对位精度和光刻精度等限制，DDDMOS结构的沟道长度L较大，且源端和漏端都需要轻参杂漂移区，将占用较大的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对称高压的半导体功率器件结构，其特征在于，所述半导体功率器件结构包括：衬底；N型轻掺杂漂移区，形成于所述衬底上；第一P型轻掺杂体区及第二P型轻掺杂体区，间隔形成于所述N型轻掺杂漂移区中；栅极，横跨于所述第一P型轻掺杂体区及所述第二P型轻掺杂体区之间，所述第一P型轻掺杂体区被所述栅极部分覆盖以形成第一沟道，所述第二P型轻掺杂体区被所述栅极部分覆盖以形成第二沟道；第一N型重掺杂极区及第二N型重掺杂极区，分别形成于所述栅极两侧的所述第一P型轻掺杂体区及所述第二P型轻掺杂体区中；以及第一P型重掺杂接触区及第二P型重掺杂接触区，分别形成于所述第一P型轻掺杂体区及第二P型轻掺杂体区中，并分别与所述...

【技术特征摘要】
1.一种对称高压的半导体功率器件结构，其特征在于，所述半导体功率器件结构包括：衬底；N型轻掺杂漂移区，形成于所述衬底上；第一P型轻掺杂体区及第二P型轻掺杂体区，间隔形成于所述N型轻掺杂漂移区中；栅极，横跨于所述第一P型轻掺杂体区及所述第二P型轻掺杂体区之间，所述第一P型轻掺杂体区被所述栅极部分覆盖以形成第一沟道，所述第二P型轻掺杂体区被所述栅极部分覆盖以形成第二沟道；第一N型重掺杂极区及第二N型重掺杂极区，分别形成于所述栅极两侧的所述第一P型轻掺杂体区及所述第二P型轻掺杂体区中；以及第一P型重掺杂接触区及第二P型重掺杂接触区，分别形成于所述第一P型轻掺杂体区及第二P型轻掺杂体区中，并分别与所述第一N型重掺杂极区及第二N型重掺杂极区相接。2.根据权利要求1所述的对称高压的半导体功率器件结构，其特征在于：所述第一N型重掺杂极区及所述第一沟道与所述第二N型重掺杂极区及所述第二沟道呈对称设置。3.根据权利要求1所述的对称高压的半导体功率器件结构，其特征在于：所述第一P型轻掺杂体区与所述N型轻掺杂漂移区之间并联有第一肖特基二极管，所述第二P型轻掺杂体区与所述N型轻掺杂漂移区之间并联有第二肖特基二极管。4.根据权利要求1所述的对称高压的半导体功率器件结构，其特征在于：所述第一P型轻掺杂体区与所述N型轻掺杂漂移区之间并联有第一开关MOS管，所述第二P型轻掺杂体区与所述N型轻掺杂漂移区之间并联有第二开关MOS管。5.根据权利要求1所述的对称高压的半导体功率器件结构，其特征在于：所述第一P型轻掺杂体区与所述N型轻掺杂漂移区之间并联有第一肖特基二极管及第一开关MOS管，所述第二P型轻掺杂体区与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢锋民，肖川，
申请(专利权)人：上海汇瑞半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31