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本发明提供了一种对称高压的半导体功率器件结构，其主要包括栅极、位于栅极下方的沟道、以及位于栅极下方两侧呈对称结构的源极区和漏极区。本发明的对称高压的半导体功率器件结构可以有效缩短沟道长度，减小对称高压的半导体功率器件结构的面积，提高集成电路...
该专利属于上海汇瑞半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海汇瑞半导体科技有限公司授权不得商用。

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