功率器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种功率器件包括衬底、形成在衬底上的外延层、形成在所述外延层的第一掺杂区及与第一掺杂区相连的第二掺杂区、形成在所述第二掺杂区的终端结构，所述终端结构包括形成在第二掺杂区的多个间隔设置的第一注入区、形成在所述第二掺杂区的多个与第一注入区正交的第二注入区、形成在所述第二掺杂区的氧化层、形成在所述氧化层上的多个场板及引线层，所述第一注入区的横向长度与所述第二掺杂区的横向长度相同，所述第一注入区、第二注入区及从相邻两个第二注入区之间露出的第二掺杂区位于同一平面，所述场板与从相邻两个第二注入区之间露出的第二掺杂区对应设置。本发明专利技术还提供功率器件的制造方法，增强所述功率器件的耐压降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】
功率器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体芯片制造工艺
,尤其涉及一种功率器件及其制造方法。
技术介绍
功率器件的耐压能力主要取决于器件结构中特定PN结的反偏击穿电压，而功率器件为了得到一定的电流能力，通常由很多的元胞并联组成。在器件反向耐压时，由于元胞和元胞之间的横向电场相互抵消，因为击穿一般不会发生在元胞内部。但是最外面的元胞会由于电场集中而发生击穿。因此就需要特定的结构来降低电场从而提高击穿电压，这些特殊结构称之为终端结构。目前，采用平面工艺制作的功率器件，其结终端结构主要在主结边缘处(常是弯曲的)设置一些延伸结构，使主结耗尽区向外扩展的作用，从而降低其内的电场强度，最终提高功率器件的耐压，然而这种终端结构所需空间较大，需要较高的成本。
技术实现思路
本专利技术提供了一种提升功率器件的耐压性能、缩小功率器件的尺寸、制备成本低的功率器件。为解决上述技术问题，一方面，本专利技术提供以下技术方案来实现。一种功率器件，其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第一导电类型的外延层、形成在所述外延层的第二导电类型的第二掺杂区及与所述第一掺杂区相连的第二导电类型的第二掺杂区、形成在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率器件，其特征在于：其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第一导电类型的外延层、形成在所述外延层的第二导电类型的第一掺杂区及与所述第一掺杂区相连的第二导电类型的第二掺杂区、形成在所述第二掺杂区的终端结构，所述终端结构包括形成在所述第二掺杂区的多个间隔设置的具有第二导电类型的第一注入区、形成在所述第二掺杂区的多个与第一注入区正交且具有第一导电类型的第二注入区、形成在所述第二掺杂区的氧化层、形成在所述氧化层上的多个场板及引线层，所述第一注入区的横向长度与所述第二掺杂区的横向长度相同，所述第一注入区、所述第二注入区及从相邻两个第二注入区之间露出的第二掺杂区位于同一平面，所述场板与从相...

【技术特征摘要】
1.一种功率器件，其特征在于：其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第一导电类型的外延层、形成在所述外延层的第二导电类型的第一掺杂区及与所述第一掺杂区相连的第二导电类型的第二掺杂区、形成在所述第二掺杂区的终端结构，所述终端结构包括形成在所述第二掺杂区的多个间隔设置的具有第二导电类型的第一注入区、形成在所述第二掺杂区的多个与第一注入区正交且具有第一导电类型的第二注入区、形成在所述第二掺杂区的氧化层、形成在所述氧化层上的多个场板及引线层，所述第一注入区的横向长度与所述第二掺杂区的横向长度相同，所述第一注入区、所述第二注入区及从相邻两个第二注入区之间露出的第二掺杂区位于同一平面，所述场板与从相邻两个第二注入区之间露出的第二掺杂区对应设置。2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述功率器件还包括形成在所述外延层的第一导电类型的第三掺杂区，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区间隔设置且位于所述第二掺杂区远离所述第一掺杂区的一侧，所述第一掺杂区、第二掺杂区及第三掺杂区的掺杂浓度依次减小。3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于：所述第二掺杂区的掺杂浓度、第一注入区的注入浓度及第二注入区的注入浓度依次增大。4.根据权利要求1所述的一种功率器件的制造方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：S401：提供一个第一导电类型的衬底：S402：在所述衬底上形成第一导电类型的外延层；S403：在所述外延层上形成第二导电类型的第一掺杂区及第二导电类型的第二掺杂区；S404：在所述第二掺杂区形成多个第一注入区；S405：在所述第二掺杂区形成多个间隔设置的第二注入区，所述第一注入区、所述第二注...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永贵，阳林涛，邱一平，
申请(专利权)人：王永贵，阳林涛，邱一平，
类型：发明
国别省市：广东,44