一种双极型晶体管的制备方法技术

本发明专利技术提供一种双极型晶体管的制备方法及其形成的用于测试的半导体器件，包括主芯片区及划片道区，形成第一导电类形的衬底及外延层，外延层形成于衬底的上表面，在外延层主芯片区形成基区，基极接触区贯穿基区与外延层连接，基区上方形成与基区连接的主芯片发射区，在外延层划片道区上方形成与外延层连接的划片道发射区，在基区、主芯片发射区和划片道发射区上分别形成金属层，其中基区上的金属层与基区电连接作为基极焊盘，主芯片发射区上的金属层与主芯片发射区电连接作为发射极焊盘，划片道发射区上的金属层与划片道发射区电连接作为用于测试的集电极焊盘。

【技术实现步骤摘要】
一种双极型晶体管的制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种双极型晶体管的制备方法。
技术介绍
一般的双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型，在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。通常器件的集电极在硅片背面，因此完成正面工艺之后，由于硅片正面存在自然氧化层，以及正面工艺带来的一些其他层次(比如氮化硅，多晶等)，会导致测试时，集电极与测试台接触非常不好，接触电阻很大。
技术实现思路
本专利技术提供一种双极型晶体管的制备方法，获得一种用于测试的半导体器件，使得在代工厂完成正面工艺后，对芯片的初测试更安全、更准确。一方面，本专利技术提供一种双极型晶体管的制备方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底的表面形成第一导电类型的外延层，并且所述衬底及所述外延层均包括主芯片区及划片道区；在外延层主芯片区形成基区；形成第二导电类型的基极接触区，所述基极接触区贯穿所述基区与所述外延层连接；在所述基区上方形成与所述基区连接的主芯片发射区，以及在所述外延层划片道区上方形成与所述外延层连接的划片道发射区；在所述基区、所述主芯片发射区和所述划片道发射区上分别形成金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底的表面形成第一导电类型的外延层，并且所述衬底及所述外延层均包括主芯片区及划片道区；在外延层主芯片区形成基区；形成第二导电类型的基极接触区，所述基极接触区贯穿所述基区与所述外延层连接；在所述基区上方形成与所述基区连接的主芯片发射区，以及在所述外延层划片道区上方形成与所述外延层连接的划片道发射区；在所述基区、所述主芯片发射区和所述划片道发射区上分别形成金属层，其中所述基区上的金属层与所述基区电连接作为基极焊盘，所述主芯片发射区上的金属层与所述主芯片发射区电连接作为发射极焊盘，所述划片道发射区上的金属层与所述...

【技术特征摘要】
1.一种双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底的表面形成第一导电类型的外延层，并且所述衬底及所述外延层均包括主芯片区及划片道区；在外延层主芯片区形成基区；形成第二导电类型的基极接触区，所述基极接触区贯穿所述基区与所述外延层连接；在所述基区上方形成与所述基区连接的主芯片发射区，以及在所述外延层划片道区上方形成与所述外延层连接的划片道发射区；在所述基区、所述主芯片发射区和所述划片道发射区上分别形成金属层，其中所述基区上的金属层与所述基区电连接作为基极焊盘，所述主芯片发射区上的金属层与所述主芯片发射区电连接作为发射极焊盘，所述划片道发射区上的金属层与所述划片道发射区电连接作为用于测试的集电极焊盘。2.根据权利要求1所述的双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述主芯片区发射区和所述划片道区发射区采用相同的工艺形成。3.根据权利要求1所述的双极型晶体管的制备方法，其特征在于，在所述基区上方形成与所述基区连接的主芯片发射区，以及在所述外延层划片道区上方形成与所述外延层连接的划片道发射区具体包括：在所述基区上方及所述外延层划片道区上方分别制作发射极多晶；对所述发射极多晶进行多晶退火形成所述主芯片发射区及所述划片道发射区。4.根据权利要求1所述的双极型晶体管的制备方法，其特征在于，在所述基区、所述主芯片发射区和所述划片道发射区上分别形成金属层具体包括：在所述基区上方形成基区接触孔；在所述基区、所述主芯片发射区上方和所述划片道发射区上方进行金属接触形成金...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市南硕明泰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44