一种蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种蚀刻装置，蚀刻装置包括蚀刻腔室、蚀刻液储存槽、第一酸液储存槽、第二酸液储存槽、水储存槽、第一酸液、第二酸液以及清洁水。蚀刻液储存槽通过蚀刻液输送管道与蚀刻腔室连接；第一酸液储存槽通过第一酸液输送管道与蚀刻液储存槽连接；第二酸液储存槽通过第二酸液输送管道与蚀刻液储存槽连接；水储存槽通过水输送管道与蚀刻液储存槽连接。第一酸液容纳于第一酸液储存槽；第二酸液容纳于第二酸液储存槽；清洁水容纳于水储存槽。当蚀刻装置处于一闲置期间时，第一酸液、第二酸液及清洁水分别通过第一输送管道、第二输送管道与水输送管道补入蚀刻液储存槽。

【技术实现步骤摘要】
一种蚀刻装置
本申请涉及蚀刻装置，尤其涉及蚀刻装置闲置状态下蚀刻液浓度控制方法。
技术介绍
在液晶显示领域中，蚀刻装置用于将基板进行蚀刻以形成所需线路图案，蚀刻过程中需要将导电金属或非金属溶蚀，保留线路图案部分。通常情况下，蚀刻液为酸性溶液，然而，因蚀刻装置工作生产时酸性溶液(如HF)与玻璃反应会造成离子消耗，反应式如下：玻璃主成份蚀刻加工反应特性：1)SiO2(s)+6HF(aq)＝H2SiF6↓(s)+2H2O(aq)---溶解反应式12)SiO2(s)+4HF(g)＝SiF4↑(g)+2H2O(aq)---溶解副反应式23)3SiF4(g)+4H2O(aq)＝2H2SiF6↓(s)+Si(OH)4↓(s)----溶解副反应式34)Si(OH)4(aq)＝SiO2(s)+2H2O(aq)----溶解副反应式4由于酸性的消耗，工作期间时需要定量补充HF与HCl。然而，现有技术中，仅仅是在蚀刻装置工作期间时补充酸液，而在清洁期间时补充水。图2B为现有技术蚀刻装置蚀刻液浓度控制方法工作周期的补液示意图，如图2B所示，现有技术在工作期间，第一酸液及第二酸液补充至蚀刻液储存槽；在清洁期间，水补充至蚀刻液储存槽。如此一来，蚀刻装置在闲置期间，水会发生挥发现象，使得在接续其后的工作期间中，酸液浓度不均，进而影响蚀刻效果与良率。
技术实现思路
本专利技术的实施例提出一种蚀刻装置，以解决现有技术蚀刻装置在工作期间的酸液浓度不均问题，进而提高产品良率。为实现上述目的，本专利技术的实施例提供一种蚀刻装置，包括：蚀刻腔室；蚀刻液储存槽，通过蚀刻液输送管道与蚀刻腔室连接；第一酸液储存槽，通过第一酸液输送管道与蚀刻液储存槽连接；第二酸液储存槽，通过第二酸液输送管道与蚀刻液储存槽连接；水储存槽，通过水输送管道与蚀刻液储存槽连接；第一酸液，容纳于第一酸液储存槽；第二酸液，容纳于第二酸液储存槽；以及清洁水，容纳于水储存槽；其中，当蚀刻装置处于一闲置期间时，第一酸液、第二酸液及清洁水分别通过第一输送管道、第二输送管道与水输送管道补入蚀刻液储存槽。本专利技术的另一实施例提供一种蚀刻装置，包括：蚀刻腔室；蚀刻溶液储存槽，通过蚀刻液输送管道连通于蚀刻腔室；第一酸液储存槽，通过第一输送管道连通于蚀刻溶液储存槽；第二酸液储存槽，通过第二输送管道连通于蚀刻溶液储存槽；水储存槽，通过水输送管道连通于蚀刻溶液储存槽；以及第一酸液，容纳于第一酸液储存槽；第二酸液，容纳于第二酸液储存槽；清洁水，容纳于水储存槽；以及控制系统，包含一流量设定表，且控制系统依据流量设定表来分别操控第一酸液、第二酸液与清洁水补入蚀刻溶液储存槽的流量，其中，流量设定表包含：准备片数据组，具有第一准备流量、第二准备流量与准备水流量，且蚀刻装置处于一闲置期间时，控制系统依据准备片数据组来控制流量；以及起始片数据组，具有第一起始流量、第二起始流量与起始水流量，且蚀刻装置处于一工作期间时，控置系统依据起始片数据组来控制流量，其中第一准备流量小于第一起始流量，第二准备流量小于第二起始流量，准备水流量小于起始水流量。附图说明图1为本专利技术的一实施例的蚀刻装置的简单示意图。图2A为本专利技术的实施例的蚀刻装置的工作周期示意图。图2B为现有技术的蚀刻装置的工作周期示意图。图3为本专利技术的另一实施例的蚀刻装置的简单示意图。其中，附图标记：10、蚀刻腔室20、蚀刻液储存槽30、第一酸液储存槽40、第二酸液储存槽50、水储存槽60、控制系统70、流量设定表71：准备片数据组72：起始片数据组1、第一阀门2、第二阀门3、第三阀门4、第四阀门a、蚀刻液输送管道b、第一酸液输送管道c、第二酸液输送管道d、水输送管道具体实施方式本专利技术的实施例提出一种蚀刻装置及蚀刻液浓度控制方法，当蚀刻装置处于闲置期间时，通过向蚀刻液储存槽中补入酸及水来维持蚀刻液的浓度，进而使得接续其后的工作期间中，蚀刻液的浓度可以保持稳定或均一性，进而提升良率。图1为本专利技术的实施例的蚀刻装置的简单示意图，如图1所示，蚀刻装置包括：蚀刻腔室10、蚀刻液储存槽20、第一酸液储存槽30、第二酸液储存槽40，其中蚀刻液储存槽20通过蚀刻液输送管道a与蚀刻腔室10连接，而第一酸液储存槽30通过第一酸液输送管道b与蚀刻液储存槽20连接，第二酸液储存槽40通过第二酸液输送管道c与蚀刻液储存槽20连接。水储存槽50通过水输送管道d与蚀刻液储存槽20连接。另外，在本专利技术的较佳实施例中，水储存槽50可与蚀刻腔室10连接，以对蚀刻腔室10内基板等进行水清洗。于本实施例中，第一酸液容纳于第一酸液储存槽30，而第二酸液容纳于第二酸液储存槽40，清洁水容纳于水储存槽50中。举例说明，第一酸液为氢氟酸，而第二酸液为盐酸。于本实施例中，蚀刻装置更包含第一阀门1、第二阀门2、第三阀门3及第四阀门4。具体而言，第一阀门1设置于蚀刻液输送管道a上，用以控制蚀刻液的输送量。第二阀门2设置于第一酸液输送管道b上，用以控制第一酸液的输送量，第三阀门3设置于第二酸液输送管道c上，用以控制第二酸液的输送量。第四阀门4设置在水输送管道d上，用以控制水的输送量。图2A为本专利技术实施例的蚀刻装置的工作周期示意图，请参考图1及图2A，本专利技术的实施例的工作周期依序由闲置期间、工作期间与清洁期间的周期性时序所形成。于闲置期间，第二阀门2、第三阀门3及第四阀门4开启，第一酸液将补充至蚀刻液储存槽20，第二酸液将补充至蚀刻液储存槽20，清洁水将补充至蚀刻液储存槽20，以控制酸液浓度。于工作期间，第二阀门2、第三阀门3及第四阀门4开启，第一酸液将补充至蚀刻液储存槽20，第二酸液将补充至蚀刻液储存槽20，清洁水将补充至蚀刻液储存槽20。此外，于清洁期间，第二阀门2、第三阀门3关闭，第四阀门4开启，第一酸液停止补充至蚀刻液储存槽20，第二酸液停止补充至蚀刻液储存槽20，清洁水将补充至蚀刻液储存槽20。于本实施例的单一的工作周期中，工作期间是接续于闲置期间，而清洁期间是接续于工作期间。另外，每个工作周期可进行循环。于图2A可以理解，通过在工作期间之前的闲置期间补充第一酸液、第二酸液及水，有效的维持蚀刻液的浓度，解决了工作期间因酸液浓度不均而使得产品产生水波纹现象的技术缺陷。图3为本专利技术另一实施例的蚀刻装置的简单示意图，如图3所示，与图1实施例不同的是，本实施例的蚀刻装置还包括控制系统60，控制系统60包含流量设定表70，且控制系统60依据流量设定表70来分别操控第一酸液、第二酸液与清洁水补入蚀刻溶液储存槽20的流量。于本实施例中，流量设定表70包含准备片数据组71及起始片数据组72。具体而言，准备片数据组71具有第一准备流量、第二准备流量与准备水流量，且蚀刻装置处于闲置期间时，控制系统依据准备片数据组71来控制流量。起始片数据组72具有第一起始流量、第二起始流量与起始水流量，且蚀刻装置处于工作期间时，控置系统60依据起始片数据组72来控制流量。详细来说，于闲置期间，控制系统60会依据准备片数据组71来控制各液体的流量，亦可控制各阀门的启闭。举例来说，准备片数据组71的第一准备流量可为第一酸液的流量，第二准备流量可为第二酸液的流量，而准备水流量则为清洁水的流量。因此，通过准备片数据组71的各流量设定，可以调控各液体的流量，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻装置，其特征在于，包括：一蚀刻腔室；一蚀刻液储存槽，通过一蚀刻液输送管道与所述蚀刻腔室连接；一第一酸液储存槽，通过一第一酸液输送管道与所述蚀刻液储存槽连接；一第二酸液储存槽，通过一第二酸液输送管道与所述蚀刻液储存槽连接；一水储存槽，通过一水输送管道与所述蚀刻液储存槽连接；一第一酸液，容纳于所述第一酸液储存槽；一第二酸液，容纳于所述第二酸液储存槽；以及一清洁水，容纳于所述水储存槽；其中，当所述蚀刻装置处于一闲置期间时，所述第一酸液、所述第二酸液及所述清洁水分别通过所述第一输送管道、所述第二输送管道与所述水输送管道补入所述蚀刻液储存槽。

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻装置，其特征在于，包括：一蚀刻腔室；一蚀刻液储存槽，通过一蚀刻液输送管道与所述蚀刻腔室连接；一第一酸液储存槽，通过一第一酸液输送管道与所述蚀刻液储存槽连接；一第二酸液储存槽，通过一第二酸液输送管道与所述蚀刻液储存槽连接；一水储存槽，通过一水输送管道与所述蚀刻液储存槽连接；一第一酸液，容纳于所述第一酸液储存槽；一第二酸液，容纳于所述第二酸液储存槽；以及一清洁水，容纳于所述水储存槽；其中，当所述蚀刻装置处于一闲置期间时，所述第一酸液、所述第二酸液及所述清洁水分别通过所述第一输送管道、所述第二输送管道与所述水输送管道补入所述蚀刻液储存槽。2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，包括：一第一阀门，所述第一阀门设置在所述蚀刻液输送管道上；一第二阀门，所述第二阀门设置在所述第一酸液输送管道上；一第三阀门，所述第三阀门设置在所述第二酸液输送管道上；以及一第四阀门，所述第四阀门设置在所述水输送管道上。3.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其特征在于，所述蚀刻装置处于所述闲置期间时，所述第二阀门、所述第三阀门及所述第四阀门开启。4.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其特征在于，所述蚀刻装置处于一工作期间时，所述第二阀门、所述第三阀门及所述第四阀门开启。5.根据权利要求4所述的蚀刻装置，其特征在于，所述蚀刻装置处于一清洁期间时，所述第二阀门与所述第三阀门关闭，所述第四阀门开启。6.根据权利要求5所述的蚀刻装置，其特征在于，所述蚀刻装置更包含一工作周期，所述工作周期依序由所述闲置期间、所述工作期间与所述清洁期间的周期性时序所形成。7.一种蚀刻装置，其特征在于，包括：一蚀刻腔室；一蚀刻液储存槽，通过一蚀刻液输送管道连通于所述蚀刻腔室；一第一酸液储存槽，通过一第一输送管道连通于所述蚀刻溶液储存槽；一第二酸液储存槽，通过一第二输送管道连通于所述蚀刻溶液储存槽；一水储存槽，通过一水输送管道连通于所述蚀刻溶液储存槽；以及一第一酸液，容纳于所述第一酸液储...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐嘉阳，刘春，黄圣修，
申请(专利权)人：友达光电昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32