一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法技术

本发明专利技术公开了一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，包括以下步骤：S1、扩散：对SE电池进行两步扩散；其中，第一步：扩散温度设置为730℃‑780℃，氧流量设置为800‑1200ml/min，扩散时间设置为600s；第二步：扩散温度设置为680℃‑730℃，氧流量设置为800‑1200ml/min，扩散时间设置为300s；S2、链式去PSG：对经由S1后的SE电池进行背面磷硅玻璃的去除；S3、碱刻蚀：对经由S2后的SE电池依次进行碱刻蚀、第一道酸洗以及第二道酸洗。本发明专利技术的碱刻蚀可以有限减少HF/HNO3的使用量，减少环境治理成本，同时降低化学品制造成本，碱刻蚀背面反射率率相比酸刻蚀更高，可以有效提升SE晶硅电池转换效率，电池转换效率可以进一步明显提升，实用性很强，非常值得推广。

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法
本专利技术涉及SE电池刻蚀
，具体为一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法。
技术介绍
目前常规单、多晶SE电池片生产过程为：制绒-扩散-SE-酸刻蚀-退火-SiNx镀膜-丝网印刷-烧结-分选-检测，扩散采用两片硅片背靠背方式进行,对硅片正面(扩散面)进行掺杂，形成P-N结，背面和侧边也不可避免地扩散上磷，正面收集的光生电子会沿着边缘有磷的区域流到背面，造成短路，湿法酸刻蚀使用HF/HNO3溶液去除侧边和背面的磷硅玻璃，避免发生短路，但使用酸液刻蚀背面反射率相比使用碱刻蚀较差，从而导致电池片转换效率比不上使用碱刻蚀，同时碱刻蚀可以有限减少HF/HNO3的使用量，减少环境治理成本。本专利技术旨在提升背面反射率，增加SE电池片转换效率；降低化学品成本；同时减少环境治理成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，包括以下步骤：S1、扩散：对SE电池进行两步扩散；其中，第一步：扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、扩散：对SE电池进行两步扩散；其中，第一步：扩散温度设置为730℃‑780℃，氧流量设置为800‑1200ml/min，扩散时间设置为600s；第二步：扩散温度设置为680℃‑730℃，氧流量设置为800‑1200ml/min，扩散时间设置为300s；S2、链式去PSG：对经由S1后的SE电池进行背面磷硅玻璃的去除；其中，背面磷硅玻璃槽中的配液配比为HF：DI水＝1:9，带速为1.2‑2.5m/min；S3、碱刻蚀：对经由S2后的SE电池依次进行碱刻蚀、第一道酸洗以及第二道酸洗；其中，碱刻蚀槽中的配液配比为KOH：...

【技术特征摘要】
1.一种晶硅太阳能SE电池刻蚀使用无机碱的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、扩散：对SE电池进行两步扩散；其中，第一步：扩散温度设置为730℃-780℃，氧流量设置为800-1200ml/min，扩散时间设置为600s；第二步：扩散温度设置为680℃-730℃，氧流量设置为800-1200ml/min，扩散时间设置为300s；S2、链式去PSG：对经由S1后的SE电池进行背面磷硅玻璃的去除；其中，背面磷硅玻璃槽中的配液配比为HF：DI水＝1:9，带速为1.2-2.5m/min；S3、碱刻蚀：对经由S2后的SE电池依次进行碱刻蚀、第一道酸洗以及第二道酸洗；其中，碱刻蚀槽中的配液配比为KOH：添加剂：DI水＝1:2.5:80，刻蚀温度设置为70℃-75℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘勇，代囟，彭春林，王长春，张财，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34