扫描电子显微镜的污染检测方法技术

本发明专利技术技术方案公开了一种扫描电子显微镜的污染检测方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质抗反射层；将所述半导体衬底置于所述扫描电子显微镜所处的真空环境中，使所述半导体衬底充分暴露在所述真空环境中；在所述介质抗反射层上形成光刻胶图形；通过所述扫描电子显微镜获取形成有光刻胶图形的半导体衬底的表面图像；基于所述半导体衬底的表面图像检测所述光刻胶图形的缺陷。本发明专利技术技术方案可以监控扫描电子显微镜对半导体产品的污染影响。

【技术实现步骤摘要】
扫描电子显微镜的污染检测方法
本专利技术涉及半导体缺陷检测领域，尤其一种用于缺陷检测的扫描电子显微镜的污染检测方法。
技术介绍
扫描电子显微镜(SEM，scanningelectronmicroscope)主要包括：真空系统、电子束系统和成像系统。电子束系统和成像系统均内置在真空系统中。扫描电子显微镜的工作原理是用一束极细的电子束扫描样品，在样品表面激发出次级电子，次级电子的多少与电子束入射角有关，也就是说与样品的表面结构有关，次级电子由探测器收集，并被转变为光信号，再经光电倍增管和放大器转变为电信号来控制荧光屏上电子束的强度，显示出与电子束同步的扫描图像，以反映出样品的表面形态。随着半导体尺寸的降低，用于缺陷检测的扫描电子显微镜在半导体产品的良率提升中起着越来越重要的作用。因此，监控扫描电子显微镜对半导体产品的良率影响也越来越重要。
技术实现思路
本专利技术技术方案要解决的技术问题是如何监控扫描电子显微镜对半导体产品的良率影响。为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种扫描电子显微镜的污染检测方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质抗反射层；将所述半导体衬底置于所述扫本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扫描电子显微镜的污染检测方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质抗反射层；将所述半导体衬底置于所述扫描电子显微镜所处的真空环境中，使所述半导体衬底充分暴露在所述真空环境中；在所述介质抗反射层上形成光刻胶图形；通过所述扫描电子显微镜获取形成有光刻胶图形的半导体衬底的表面图像；基于所述半导体衬底的表面图像检测所述光刻胶图形的缺陷。

【技术特征摘要】
1.一种扫描电子显微镜的污染检测方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质抗反射层；将所述半导体衬底置于所述扫描电子显微镜所处的真空环境中，使所述半导体衬底充分暴露在所述真空环境中；在所述介质抗反射层上形成光刻胶图形；通过所述扫描电子显微镜获取形成有光刻胶图形的半导体衬底的表面图像；基于所述半导体衬底的表面图像检测所述光刻胶图形的缺陷。2.如权利要求1所述的扫描电子显微镜的污染检测方法，其特征在于，所述介质抗反射层的材料为氮氧化硅。3.如权利要求1所述的扫描电子显微镜的污染检测方法，其特征在于，所述光刻胶图形的密度与关键尺寸相关。4.如权利要求1所述的扫描电子显微镜的污染检测方法，其特征在于，检测所述光刻胶图形的缺陷的时间为5分钟～20分钟。5.如权利要求1所述的扫描电子显微镜的污染检测方法，其特征在于，所述通过所述扫描电子显微镜获取形成有光刻胶图形的半导体衬底的表面图像包括：所述扫描电子显微镜的电子枪发射电子束至所述半导体衬底；收集所述半导体衬底表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈灵，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32