一种基于多孔氧化铈的CMP抛光层及其制备方法技术

本发明专利技术涉及CMP抛光垫加工制造领域，具体涉及一种基于多孔氧化铈的CMP抛光层及其制备方法。本发明专利技术的CMP抛光层以聚氨酯预聚体、交联剂以及多孔氧化铈为原料混合固化而成，先将聚氨酯预聚体在真空状态下预热，然后在聚氨酯预聚体中加入多孔氧化铈填料，充分搅拌混合，得到混合预聚体；将混合预聚体转移至第一罐体中，并进行保温、搅拌、循环处理；在第二罐体中加入交联剂并进行熔化处理；校正第一罐体、第二罐体注射的重量比例然后高速混合后，注射进模具中，再进行固化硫化处理得到抛光层。本发明专利技术提供的CMP抛光层具有较高的磨抛效率和较稳定的耐磨性、流动性以及切削性。

【技术实现步骤摘要】
一种基于多孔氧化铈的CMP抛光层及其制备方法
本专利技术涉及CMP抛光垫加工制造领域，具体为一种基于多孔氧化铈的CMP抛光层及其制备方法。
技术介绍
化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,CMP)是将机械研磨作用和化学氧化作用结合来去除被加工工件表面材料的一种微纳米加工技术，该技术可以使被加工工件表面超平坦、超光滑，主要应用于IC和MEMS制造领域。在CMP时，旋转的晶圆被压在旋转的抛光垫上，含有磨粒和化学品的抛光液在晶圆和抛光垫之间流动，晶圆表面材料在抛光液的化学作用和磨粒、抛光垫的机械作用下被不断去除。磨粒在硅片表面上的轨迹分布及相对摩擦长度越均匀，则表面材料去除非均匀性越小，平面度误差越小。因此，抛光垫孔洞作为磨抛时磨料的载体，其大小和分布影响着磨粒的分布和磨抛时真正产生去除作用的磨粒的含量，从而影响硅片表面材料去除的非均匀性和抛光后硅片表面的平面度轮廓。抛光粉通常由氧化铈、氧化铝、氧化硅、氧化铁、氧化锆、氧化铬等组份组成，不同的材料的硬度不同，在水中的化学性质也不同，因此使用场合各不相同。氧化铝和氧化铬的莫氏硬度为9，氧化铈和氧化锆为7，氧化铁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于多孔氧化铈的CMP抛光层，其特征在于，以聚氨酯预聚体、交联剂以及多孔氧化铈为原料混合固化而成。

【技术特征摘要】
1.一种基于多孔氧化铈的CMP抛光层，其特征在于，以聚氨酯预聚体、交联剂以及多孔氧化铈为原料混合固化而成。2.根据权利要求1所述的一种基于多孔氧化铈的CMP抛光层，其特征在于，所述多孔氧化铈与聚氨酯预聚体的用量比为0.014～0.06：1。3.根据权利要求1所述的一种基于多孔氧化铈的CMP抛光层，其特征在于，所述交联剂为3,3'-二氯-4,4'-二氨基二苯基甲烷或二甲硫基甲苯二胺。4.一种如权利要求1-3任一项所述的基于多孔氧化铈的CMP抛光层的制备方法，其特征在于，主要包括以下步骤：S1、将模具置于烘箱中预热至50～200℃；将聚氨酯预聚体置于真空烘箱中并在真空状态下预热至50～200℃，然后在聚氨酯预聚体中加入多孔氧化铈填料，在20～300r/min的转速下充分搅拌混合，得到混合预聚体；S2、将上述混合预聚体转移至第一罐体中，并进行保温、搅拌、循环处理，第一罐体内部的温度50～200℃，搅拌转速为20～300r/min...

【专利技术属性】
技术研发人员：但文涛，
申请(专利权)人：成都时代立夫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51