专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
成都时代立夫科技有限公司
>
一种基于多孔氧化铈的CMP抛光层及其制备方法技术
>技术资料下载
下载一种基于多孔氧化铈的CMP抛光层及其制备方法的技术资料
文档序号:19815892
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及CMP抛光垫加工制造领域,具体涉及一种基于多孔氧化铈的CMP抛光层及其制备方法。本发明的CMP抛光层以聚氨酯预聚体、交联剂以及多孔氧化铈为原料混合固化而成,先将聚氨酯预聚体在真空状态下预热,然后在聚氨酯预聚体中加入多孔氧化铈填料,...
该专利属于成都时代立夫科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都时代立夫科技有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。