一种CMP抛光垫封边工艺制造技术

本发明专利技术涉及CMP抛光垫加工制造领域，具体涉及一种CMP抛光垫封边工艺。本发明专利技术中主要包括以下步骤：将抛光垫的衬底与基材进行贴合，贴合之后检查抛光垫边沿并进行修整；配置胶粘剂，并用海绵蘸取胶粘剂，均匀涂抹至抛光垫边沿进行封边，在常温条件下进行干燥。本发明专利技术在基材与衬底贴合之后，通过对其边沿进行修整、涂胶、封边处理可有效防止抛光液中的水分通过缝隙进入衬底以及减少抛光液中的成分进入衬底，防止抛光垫在使用之后闲置时出现发霉现象，提高抛光垫的使用寿命；除此之外封边工艺维持了抛光垫的水平度基本保持不变，从而保证抛光垫在后续的抛光过程中处于正常的工作状态，提高产品的合格率，提高企业的经济效益。

【技术实现步骤摘要】
一种CMP抛光垫封边工艺
本专利技术涉及CMP抛光垫加工制造领域，具体为一种CMP抛光垫封边工艺。
技术介绍
化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,CMP)是将机械研磨作用和化学氧化作用结合来去除被加工工件表面材料的一种微纳米加工技术，该技术可以使被加工工件表面超平坦、超光滑，主要应用于IC和MEMS制造领域。在CMP时，旋转的晶圆被压在旋转的抛光垫上，含有磨粒和化学品的抛光液在晶圆和抛光垫之间流动，晶圆表面材料在抛光液的化学作用和磨粒、抛光垫的机械作用下被不断去除。一个完整的抛光垫从上到下的组成是基材、背胶、衬底，基材就是与晶圆接触的部分，主要起磨抛作用，背胶将基材和衬底贴合在一起，衬底主要起支撑作用。晶圆CMP时材料去除率与表面接触压力、晶圆与抛光垫之间的相对速度、晶圆抛光垫之间的表面摩擦力有关。由于衬底与基材通过背胶粘贴在一起，而抛光垫在正常使用过程中是处在抛光液不停喷洒的环境中，长期的工作环境下，抛光液会沿着缝隙进入衬底，会影响背胶的粘接力。除此之外，抛光垫在之后的放置过程中，水分侵入背胶的部分会出现发霉现象，一方面会影响抛光垫的美观性，另一方面会影响后续的使用，因为经水浸润的背胶会出现溶胀，局部背胶厚度会增加，粘贴后的水平度无法保证在良好状态，影响后续产品质量；再者背胶与平台的粘接力下降，造成抛光垫脱离机台以及抛光液向外部飞溅等问题。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种CMP抛光垫封边工艺以解决采用目前抛光垫在使用过程中抛光液中的水分会进入背胶和衬底之间的缝隙中造成发霉以及影响抛光垫表面的水平度等问题。一种CMP抛光垫封边工艺，主要包括以下步骤：将抛光垫的衬底与基材进行贴合，贴合之后检查抛光垫边沿并进行修整；配置胶粘剂，并用海绵蘸取胶粘剂，均匀涂抹至抛光垫边沿进行封边，在常温条件下进行干燥。进一步地，抛光垫的衬底与基材通过贴合机进行贴合，贴合温度为20-120℃，贴合机的传送速度为200-2000mm/min。进一步地，胶粘剂由以下方法制得：以Ailete221AB胶为原料，将所述Ailete221AB胶在容器中按照体积比1:1的比例混合均匀。进一步地，胶粘剂的用量为胶粘剂的用量为0.005-0.02g/cm2。与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：本专利技术在基材与衬底贴合之后，通过对其边沿进行修整、涂胶、封边处理可有效防止抛光液中的水分通过缝隙进入衬底以及减少抛光液中的成分进入衬底，防止抛光垫在使用之后闲置时出现发霉现象，提高抛光垫的使用寿命；除此之外封边工艺维持了抛光垫的水平度基本保持不变，从而保证抛光垫在后续的抛光过程中处于正常的工作状态，提高产品的合格率，提高企业的经济效益。附图说明图1是本专利技术提供的水分含量测试结果图2是本专利技术提供的粘性测试结果。具体实施方式为了进一步了解本专利技术，下面结合具体实施例对本专利技术方法和效果做进一步详细的说明。本实施例中对抛光垫进行涂胶封边的胶粘剂为Ailete221AB胶。实施例1采用贴合机将衬底和基材进行贴合，衬底和基材的贴合温度为70℃，传送速度为1200mm/min。贴合完成后检查并修整抛光垫边沿，去除毛刺，使抛光垫边缘表面平整。首先将Ailete221AB胶在容器中按体积比1：1充分混合，然后用海绵蘸取一定量的胶粘剂，均匀涂抹在抛光垫边沿，此处胶粘剂的用量为0.02g/cm2涂抹完成后在常温条件下干燥30min。实施例2采用贴合机将衬底和基材进行贴合，衬底和基材的贴合温度为70℃，传送速度为1200mm/min。贴合完成后检查并修整抛光垫边沿，去除毛刺，使抛光垫边缘表面平整。首先将Ailete221AB胶在容器中按体积比1：1充分混合，然后用海绵蘸取一定量的混合胶水，均匀涂抹在抛光垫边沿，此处胶粘剂的用量为0.0005g/cm2,涂抹完成后在常温条件下干燥30min。对比例1采用实施例1的方法，将衬底与基材进行粘合，其区别之处在于本对比例中的抛光垫不做封边处理。测定分析将实施例1和对比例1的产品均浸泡在抛光液中96小时后，取出并将背胶和衬底撕开，观察情况。可以看出采用未经封边处理的对比例1的工艺得到的抛光垫的衬底处有大量的黄色痕迹和白色结晶，其中黄色痕迹是由于抛光垫内部浸入抛光液后导致的变色，白色结晶是是抛光液残留的结晶体，采用对比例1的工艺得到的抛光垫出现抛光液渗水的问题，从而导致其内部表面变色以及有大量的白色晶体。而实施例1中的衬底表面未出现变色的情况，存在极少量的白色晶体。将实施例1和对比例1的抛光垫进行水分含量测试和剥离力测试，数据对比如图1和图2所示。根据图1的数据可知，封边后抛光垫水分含量明显减少；根据图2数据可知剥离力明显高于未做封边处理的抛光垫。以上所述，仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，本专利技术的专利保护范围以权利要求书为准，凡是运用本专利技术的说明书内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMP抛光垫封边工艺，其特征在于，主要包括以下步骤：将抛光垫的衬底与基材进行贴合，贴合之后检查抛光垫边沿并进行修整；配置胶粘剂，并用海绵蘸取胶粘剂，均匀涂抹至抛光垫边沿进行封边，在常温条件下进行干燥。

【技术特征摘要】
1.一种CMP抛光垫封边工艺，其特征在于，主要包括以下步骤：将抛光垫的衬底与基材进行贴合，贴合之后检查抛光垫边沿并进行修整；配置胶粘剂，并用海绵蘸取胶粘剂，均匀涂抹至抛光垫边沿进行封边，在常温条件下进行干燥。2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，抛光垫的衬底与基材通过贴合机进行贴合，贴合温度为20-120℃，...

【专利技术属性】
技术研发人员：但文涛，姜千，
申请(专利权)人：成都时代立夫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51