铁电薄膜晶体管、有机发光阵列基板驱动电路和显示装置制造方法及图纸

一种铁电薄膜晶体管、有机发光阵列基板驱动电路和显示装置。铁电薄膜晶体管，包括：基板；设置在基板上的底电极层；设置在底电极层背向基板一侧上的铁电层，铁电层的材料为具有非易失铁电极化的材料；设置在铁电层背向基板一侧上的半导体沟道层；设置在半导体沟道层背向基板一侧上的源电极和漏电极；漏电极用于与发光元件的输入端相连；源电极用于与电源信号线相连；底电极层用于与控制信号线相连；驱动电路简单。通过向底电极层施加电压调节铁电层的极化状态，进而通过铁电层的极化状态调控半导体沟道层中的载流子的浓度和电阻，改变流过OLED的电流大小，实现OLED串联分压的连续调制和不同灰阶的OLED显示，控制方式简单。

【技术实现步骤摘要】
铁电薄膜晶体管、有机发光阵列基板驱动电路和显示装置
本专利技术涉及半导体及电子电路
，具体涉及一种非易失铁电调控的铁电薄膜晶体管、有机发光阵列基板驱动电路和显示装置。
技术介绍
有机发光显示装置(OrganicLight-EmittingDisplay，OLED)因具有自发光，广视角，高色域，高对比度，低功耗等特点而受到广泛重视。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED属于主动显示类型，通常用作高清晰度的显示装置。AMOLED是电流驱动器件。当有电流流过有机发光二极管时，该二极管发光，且发光亮度由流过的电流大小决定。图1为现有技术中AMOLED的驱动电路的结构示意图，如图1所示，现有AMOLED的驱动电路包含一个开关薄膜晶体管SW-TFT、一个驱动薄膜晶体管DR-TFT和一个存储电容Cst(2T1C)，SW-TFT的栅极连接到扫描信号电压GateLine上，源极连接到数据信号电压DataLine上，漏极连接到DR-TFT的栅极和存储电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铁电薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；设置在基板上的底电极层；设置在所述底电极层背向基板一侧上的铁电层，所述铁电层的材料为具有非易失铁电极化的材料；设置在所述铁电层背向基板一侧上的半导体沟道层；设置在所述半导体沟道层背向基板一侧上的源电极和漏电极；所述漏电极用于与发光元件的输入端相连；所述源电极用于与电源信号线相连；所述底电极层用于与控制信号线相连。

【技术特征摘要】
1.一种铁电薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；设置在基板上的底电极层；设置在所述底电极层背向基板一侧上的铁电层，所述铁电层的材料为具有非易失铁电极化的材料；设置在所述铁电层背向基板一侧上的半导体沟道层；设置在所述半导体沟道层背向基板一侧上的源电极和漏电极；所述漏电极用于与发光元件的输入端相连；所述源电极用于与电源信号线相连；所述底电极层用于与控制信号线相连。2.根据权利要求1所述的铁电薄膜晶体管，其特征在于，所述铁电层的材质为具有非易失铁电极化的材料。3.根据权利要求2所述的铁电薄膜晶体管，其特征在于，所述铁电层的材质为铁酸铋、钛酸钡、锆钛酸铅、铌酸钾钠、磷酸二氢钾。4.根据权利要求1所述的铁电薄膜晶体管，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘川川，苏同上，殷月伟，李晓光，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34