场效应晶体管及装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种场效应晶体管及装置。所述场效应晶体管包括源极、漏极以及沟道区，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述沟道区上设置有作为晶体管输入极的栅极，所述栅极与沟道区之间设置有介质层，所述晶体管的输出极至少局部设于所述沟道区内或与所述沟道区直接接触。较之现有技术，本实用新型专利技术提供的场效应晶体管结构更为简单，可以实现反相器、非门、非门电路、与非门、或非门以及或门等多种功能，同时其制作工艺简单，可以与现有的晶体管制作工艺兼容，且成本低廉，具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
场效应晶体管及装置
本技术涉及一种晶体管，特别是一种具有改良结构的场效应晶体管及其应用。
技术介绍
门电路是用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。常用的门电路在逻辑功能上有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等几种。传统的门电路中一般是采用CMOS双器件反相器作为其核心部件之一。请参考图1所示为常见CMOS反相器的电路结构示意图，其主要由一个沟道增强型NMOS管10和一个沟道增强型PMOS管20串联组成。所述NMOS管10与PMOS管20的栅极连接，作为反相器的输入端11；所述NMOS管10的漏极与PMOS管20的漏极连接，作为反相器的输出端12；所述NMOS管的源极接低电位端或接地；所述PMOS管的源极连接高电位Vdd。更为典型的一种CMOS反相器的结构可以参阅图2所示。尽管此类CMOS反相器具有诸如静态功耗较低、抗干扰能力较强、电源利用率较高、输入阻抗较高，带负载能力较强等一系列的优点，但其结构较为复杂，在制作时亦需要较为繁复的操作和相对严苛的工艺条件，成本较高。另外，现有的此类CMOS反相器的面积较大，若通过传统方法一一进行工艺更新来减小面积，成本极高，例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场效应晶体管，包括源极、漏极以及沟道区，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述沟道区上设置有作为晶体管输入极的栅极，所述栅极与沟道区之间设置有介质层，其特征在于：所述晶体管的输出极至少局部设于所述沟道区内或与所述沟道区直接接触。

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管，包括源极、漏极以及沟道区，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述沟道区上设置有作为晶体管输入极的栅极，所述栅极与沟道区之间设置有介质层，其特征在于：所述晶体管的输出极至少局部设于所述沟道区内或与所述沟道区直接接触。2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述场效应晶体管包括半导体层，所述半导体层内分布有沟道区、源区以及漏区，所述源区、漏区分别与源极、漏极连接，所述栅极设于半导体层表面并位于沟道区上方。3.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述栅极为顶栅，并且所述场效应晶体管还包括用于调控沟道区的底栅，所述顶栅、底栅分别设置于所述沟道区的上方、下方。4.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于：所述栅极为顶栅，并且所述场效应晶体管还包括用于调控沟道区的侧栅。5.如权利要求4所述的场效应晶体管，其特征在于：所述侧栅设置于顶栅的旁边且不在所述沟道区上；和/或，所述侧栅为两个以上；和/或，所述侧栅设于...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴明志，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：新型
国别省市：浙江,33