半导体器件及其形成方法技术

一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一区，第一区用于形成N型晶体管，所述基底的第一区上具有第一栅极结构，第一栅极结构两侧的基底中分别具有第一源漏掺杂区；在第一源漏掺杂区上形成电子隧穿层；在电子隧穿层表面形成第一导电插塞。所述方法使半导体器件的电学性能提高。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
MOS晶体管是现代集成电路中最重要的元件之一。MOS晶体管的基本结构包括：半导体衬底基底；位于半导体衬底表面的栅极结构，位于栅极结构一侧半导体衬底内的源区和位于栅极结构另一侧半导体衬底内的漏区。MOS晶体管的工作原理是：通过在栅极结构施加电压，调节通过栅极结构底部沟道的电流来产生开关信号。然而，MOS晶体管构成的半导体器件的电学性能有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的电学性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区，第一区用于形成N型晶体管，所述基底的第一区上具有第一栅极结构，第一栅极结构两侧的基底中分别具有第一源漏掺杂区；在第一源漏掺杂区上形成电子隧穿层；在电子隧穿层表面形成第一导电插塞。可选的，所述电子隧穿层的厚度为1nm～2nm；所述电子隧穿层的材料为TiO2、Al2O3或Si3N4。可选的，还包括：在形成所述电子隧穿层之前，对所述第一源漏掺杂区中的顶部区域进行非晶化处本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区，第一区用于形成N型晶体管，所述基底的第一区上具有第一栅极结构，第一栅极结构两侧的基底中分别具有第一源漏掺杂区；在第一源漏掺杂区上形成电子隧穿层；在电子隧穿层表面形成第一导电插塞。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区，第一区用于形成N型晶体管，所述基底的第一区上具有第一栅极结构，第一栅极结构两侧的基底中分别具有第一源漏掺杂区；在第一源漏掺杂区上形成电子隧穿层；在电子隧穿层表面形成第一导电插塞。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述电子隧穿层的厚度为1nm～2nm；所述电子隧穿层的材料为TiO2、Al2O3或Si3N4。3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述电子隧穿层之前，对所述第一源漏掺杂区中的顶部区域进行非晶化处理，在第一源漏掺杂区中的顶部区域形成第一非晶层；采用自对准硅化工艺在第一非晶层表面形成第一金属硅化物层；所述电子隧穿层位于第一金属硅化物层上。4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述非晶化处理包括离子注入工艺。5.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺采用的离子包括碳离子或锗离子。6.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述电子隧穿层之前，对所述第一金属硅化物层的表面进行等离子体处理，在所述第一金属硅化物层的表面形成第一钝化层；所述电子隧穿层位于所述第一钝化层的表面。7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理的参数包括：采用的气体包括N2，处理时间为1分钟～6分钟。8.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一钝化层的材料包括氮化硅；所述第一钝化层的厚度为5埃～100埃。9.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一导电插塞之前，还包括：在所述电子隧穿层的表面形成中间层；在所述中间层的表面形成吸附层，所述吸附层中具有吸附离子；形成吸附层后，进行退火处理，所述吸附层用于在退火处理中吸附氧；进行退火处理后，去除吸附层和中间层。10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述中间层的材料包括非晶硅；所述吸附层的材料包括掺杂吸附离子的氮化钛；所述吸附离子为铝离子或镧离子。11.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火处理的参数包括：采用的气体包括N2和Ar，采用的温度为500摄氏度～1200摄氏度。12.根据权利要求9所述的半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，刘盼盼，王士京，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31