一种LDMOS器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种LDMOS器件，一种LDMOS器件，包括：第一导电类型的衬底和形成在衬底上的第一导电类型的外延层，其特征在于，自外延层表面向下延伸的第二导电类型的漂移区；自外延层表面向下延伸至衬底的第一导电类型的阱区；自外延层表面向下延伸的第一导电类型的沟道区，位于漂移区与阱区之间；第二导电类型的源区，位于阱区与沟道区中；第二导电类型的漏区，位于漂移区中；位于沟道区上方的栅极，其间形成有栅极绝缘层；覆盖漂移区表面及栅极表面的绝缘层；位于绝缘层中部分地覆盖栅极及漂移区的屏蔽环，屏蔽环在邻近栅极侧具有凹陷部。本发明专利技术还提供了一种制作LDMOS器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
一种LDMOS器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体
更具体地，涉及一种LDMOS器件及其制作方法。
技术介绍
横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LateralDoubleDiffusedMOSFET)是一种市场需求大，发展前景广阔的射频功率放大器件。在射频无线通信领域，基站和长距离发射机几乎全部使用硅基LDMOS高功率晶体管；此外，LDMOS还广泛应用于射频放大器，如HF、VHF和UHF通信领域、脉冲雷达、工业、科学和医疗应用、航空电子和WiMAXTM通信系统等领域。随着LDMOS器件尺寸的减小，器件的栅氧厚度、结深、沟道长度的减小，器件在高压环境下，必然会产生高电场区域，小尺寸下对高耐压提出了更高，此外MOSFET沟道中电场场强增加，易于形成热载流子效应减小器件寿命。而现有技术中，为了提高击穿电压，采用各种复杂结构的屏蔽环，如双层或多层屏蔽环或通过在有源区中形成沟槽的方式形成的屏蔽环等。因此，需要提供一种工艺简单且能够有效对漂移区进行电场调制、提高器件的击穿电压并可以防止热载流子效应的LDMOS器件及其制作方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种工艺简单且能够本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LDMOS器件，包括：第一导电类型的衬底和形成在衬底上的第一导电类型的外延层，其特征在于，自所述外延层表面向下延伸的第二导电类型的漂移区；自所述外延层表面向下延伸至所述衬底的第一导电类型的阱区；自所述外延层表面向下延伸的第一导电类型的沟道区，位于所述漂移区与所述阱区之间；第二导电类型的源区，位于所述阱区与所述沟道区中；第二导电类型的漏区，位于所述漂移区中；位于所述沟道区上方的栅极，其间形成有栅极绝缘层；覆盖所述漂移区表面及所述栅极表面的绝缘层；位于所述绝缘层中部分地覆盖所述栅极及所述漂移区的屏蔽环，所述屏蔽环在邻近所述栅极侧具有凹陷部。

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS器件，包括：第一导电类型的衬底和形成在衬底上的第一导电类型的外延层，其特征在于，自所述外延层表面向下延伸的第二导电类型的漂移区；自所述外延层表面向下延伸至所述衬底的第一导电类型的阱区；自所述外延层表面向下延伸的第一导电类型的沟道区，位于所述漂移区与所述阱区之间；第二导电类型的源区，位于所述阱区与所述沟道区中；第二导电类型的漏区，位于所述漂移区中；位于所述沟道区上方的栅极，其间形成有栅极绝缘层；覆盖所述漂移区表面及所述栅极表面的绝缘层；位于所述绝缘层中部分地覆盖所述栅极及所述漂移区的屏蔽环，所述屏蔽环在邻近所述栅极侧具有凹陷部。2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极绝缘层中与所述栅极对应的邻近所述漂移区部分呈斜坡阶梯状。3.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极包括形成在所述栅极绝缘层上的多晶硅层和形成在所述多晶硅层上的金属硅化物层。5.一种制作LDMOS器件的方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上形成第一导电类型的外延层；在所述外延层中形成第二导电类型的漂移区和第一导电类型的阱区，所述阱区自所述外延层表面延伸到所述衬底中；在所述外延层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成栅极；在所述外延层中形成第一导电类型的沟道区，所述沟道区位于所述漂移区和所述阱区之间；在所述第一绝缘层上形成开口，并利用所述开口形成源区和漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：万宁，李科，丛密芳，任建伟，李永强，黄苒，苏畅，李浩，杜寰，
申请(专利权)人：北京顿思集成电路设计有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11