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本发明提供了一种LDMOS器件，一种LDMOS器件，包括：第一导电类型的衬底和形成在衬底上的第一导电类型的外延层，其特征在于，自外延层表面向下延伸的第二导电类型的漂移区；自外延层表面向下延伸至衬底的第一导电类型的阱区；自外延层表面向下延伸的...
该专利属于北京顿思集成电路设计有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京顿思集成电路设计有限责任公司授权不得商用。

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