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一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括第一区，第一区用于形成N型晶体管，所述基底的第一区上具有第一栅极结构，第一栅极结构两侧的基底中分别具有第一源漏掺杂区；在第一源漏掺杂区上形成电子隧穿层；在电子隧穿层表面形成第一...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。