【技术实现步骤摘要】
一种降低栅极存储电荷的MOSFET场效应管元胞结构
本技术涉及半导体功率开关
，具体涉及一种降低栅极存储电荷的MOSFET场效应管元胞结构。
技术介绍
MOSFET器件作为多子器件，开关时间为100～10ns量级，高频特性好，具有开关速度快损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、跨导高度线性化，尤其是它具有负的温度系数，没有双极功率管的二次击穿问题，广泛应用于各种领域，包括电机调速、逆变器、不间断电源、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。随着电路应用的高频化，开关元件的切换性能的改善是重要事项之一。进一步来说，就高频操作的观点，如何提高切换速度，同时减少切换损失，即为开关元件设计的目标。而从半导体物理来看，降低MOSFET场效应管的栅极至漏极的电容(Cgd)有助于改善切换速度，降低切换损失。现有技术的MOSFET场效应管元胞结构中栅极的平板电容结构包括多晶硅-栅氧化层-N-型硅，该电容结构由于栅氧化层整体结构较薄，导致整体的栅极和漏极间电容较高，进一步导致MOSFET场效应管的开关损耗较高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种降低栅极存储电荷的MOS...
【技术保护点】
1.一种降低栅极存储电荷的MOSFET场效应管元胞结构，其特征在于，包括衬底，所述衬底背面设有背面金属层，正面生长有外延层，所述外延层的主表面部分设有场氧化层，所述外延层的主表面还扩散有阱区，且阱区内设有两个源区，所述阱区和源区为所述外延层主表面的一部分，且阱区环绕所述场氧化层，所述两个源区之间的阱区主表面设有栅氧化层，且栅氧化层的厚度小于所述场氧化层的厚度，所述场氧化层和栅氧化层表面设有多晶硅栅，所述多晶硅栅表面以及所述源区表面积淀有钝化层，所述钝化层以及所述源区外侧的所述阱区的主表面设有正面金属层。
【技术特征摘要】
1.一种降低栅极存储电荷的MOSFET场效应管元胞结构，其特征在于，包括衬底，所述衬底背面设有背面金属层，正面生长有外延层，所述外延层的主表面部分设有场氧化层，所述外延层的主表面还扩散有阱区，且阱区内设有两个源区，所述阱区和源区为所述外延层主表面的一部分，且阱区环绕所述场氧化层，所述两个源区之间的阱区主表面设有栅氧化层，且栅氧化层的厚度小于所述场氧化层的厚度，所述场氧化层和栅氧化层表面设有多晶硅栅，所述多晶硅栅表面以及所述源区表面积淀有钝化层，所述钝化层以及所述源区外侧的所述阱区的主表面设有正面金属层。2.根据权利要求1所述的一种降...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚伟明，陆阳，金银萍，
申请(专利权)人：扬州国宇电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。