温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开了一种降低栅极存储电荷的MOSFET场效应管元胞结构，包括衬底，衬底背面设有背面金属层，正面生长有外延层，外延层的主表面部分设有场氧化层，外延层的主表面还扩散有阱区，且阱区内设有两个源区，阱区和源区为所述外延层主表面的一部分，...
该专利属于扬州国宇电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州国宇电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。