薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法。该薄膜晶体管包括：有源层设置于玻璃基板表面，源极和漏极与有源层连接；第一绝缘层，设置于有源层远离玻璃基板的一侧；栅极层，设置于第一绝缘层远离玻璃基板的一侧；第二绝缘层覆盖源极、漏极和栅极层，第二绝缘层上设置有通孔，通孔裸露出源极和漏极；有源层采用的材料为(MO)x(RO)y(TO)z，其中0

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法
本专利技术实施例涉及半导体技术，尤其涉及薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法。
技术介绍
新型平板显示产业的核心技术是薄膜晶体管(TFT,ThinFilmTransistor)背板技术。金属氧化物TFT(MO-TFT,MetalOxide-TFT)不仅具有较高的迁移率(在1-100cm2/(V*s)左右)，而且制作工艺相对简单，可以和目前的a-Si工艺兼容，制造成本较低，还具有优异的大面积均匀性。因此，MO-TFT技术自诞生以来便备受业界瞩目。但是，由于金属氧化物极易受到可移动金属离子，氢离子，氧空位等杂质的掺杂效应影响，通常采用具有沟道保护的刻蚀阻挡层结构,而很难使用顶栅结构。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法，以提供一种低成本的顶栅结构的金属氧化物薄膜晶体管。第一方面，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：玻璃基板；有源层、源极和漏极，所述有源层设置于所述玻璃基板表面，所述源极和所述漏极与所述有源层连接；第一绝缘层，设置于所述有源层远离所述玻璃基板的一侧；栅极层，设置于所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：玻璃基板；有源层、源极和漏极，所述有源层设置于所述玻璃基板表面，所述源极和所述漏极与所述有源层连接；第一绝缘层，设置于所述有源层远离所述玻璃基板的一侧；栅极层，设置于所述第一绝缘层远离所述玻璃基板的一侧；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述源极、所述漏极和所述栅极层，所述第二绝缘层上设置有通孔，所述通孔裸露出所述源极和所述漏极；其中，所述有源层采用的材料为(MO)x(RO)y(TO)z，其中0

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：玻璃基板；有源层、源极和漏极，所述有源层设置于所述玻璃基板表面，所述源极和所述漏极与所述有源层连接；第一绝缘层，设置于所述有源层远离所述玻璃基板的一侧；栅极层，设置于所述第一绝缘层远离所述玻璃基板的一侧；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述源极、所述漏极和所述栅极层，所述第二绝缘层上设置有通孔，所述通孔裸露出所述源极和所述漏极；其中，所述有源层采用的材料为(MO)x(RO)y(TO)z，其中0<x<1，0.0001≤y≤0.20，0.0001≤z≤0.20，x+y+z＝1；MO为金属氧化物，M包含In、Zn和Ga中的至少一种；RO为稀土氧化物，RO包含氧化镨、氧化铽、氧化镝和氧化镱中的至少一种；TO为过渡族金属氧化物，TO包含氧化钒、氧化铌和氧化钽中的至少一种。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述有源层中设置有所述第一绝缘层之外的区域为第一区域，高导掺杂之后的所述第一区域的有源层为所述源极和所述漏极。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述第一绝缘层与所述栅极层的形状相同。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述玻璃衬底为无碱玻璃、硼硅玻璃、钠钙玻璃或铝硅玻璃。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层设置于所述第二绝缘层远离所述玻璃基板的表面，所述第一金属层通过所述通孔与所述源极连接，所述第二金属层通过所述通孔与所述漏极连接。6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。7.一种薄膜晶体管的制作方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐苗，李民，彭俊彪，王磊，陶洪，邹建华，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44