一种非晶金属VI族化合物半导体薄膜与薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种非晶金属VI族化合物半导体薄膜与薄膜晶体管，所述的非晶金属VI族化合物半导体的化学通式为ZnMV或ZnAMV，其中M=In或Sn，A=Al或Ga或Zr或Hf或Ti或Mg或Si或Ge或Nb或Be或Ca或Sr或Ba或Sc或Y或V或Ta或Cr或Mo或W或Re或Ni或Cu或Ag或Au，V=S或Se或Te。非晶金属VI族化合物半导体薄膜具有非晶态结构，室温下禁带宽度0.5~4.5 eV，薄膜厚度10~100 nm。以上述薄膜为沟道层制备薄膜晶体管，具有显著的场效应特性，开关电流比在10

【技术实现步骤摘要】
一种非晶金属VI族化合物半导体薄膜与薄膜晶体管
本专利技术涉及一种非晶化合物半导体薄膜，尤其涉及一种非晶金属VI族化合物半导体薄膜及其薄膜晶体管。
技术介绍
薄膜晶体管（TFT）是微电子特别是显示工程领域的核心技术之一。不论在目前先进显示市场中占绝对主导优势的有源矩阵液晶显示器（AMLCD），还是代表未来柔性显示趋势的AMOLED（有源矩阵有机发光二极管显示器），TFT器件均在其中的像素驱动单元中占据关键位置。此外，TFT器件还在生物传感、紫外探照等方面得到广泛研究与应用。因此，研制和发展TFT器件具有重要的意义。TFT最重要的组成部分是其沟道层材料，关于TFT的研究也集中在沟道层材料的研发和选择上。目前，工业生产中TFT的沟道层材料主要是非晶硅（a-Si）和低温多晶硅（LTPS），但是a-SiTFT迁移率较低（~2cm2/Vs），难以驱动大于90英寸的显示器，而基于多晶硅（p-Si）技术的TFT虽然迁移率高（~100cm2/Vs），但是器件均匀性较差，电学性能不稳定，而且制作成本高，这限制了它的应用。同时，Si是一种间接带隙窄禁带半导体，在可见光区域是不透明的，像素开口率不能达到1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非晶金属VI族化合物半导体薄膜，其特征在于，所述的非晶金属VI族化合物半导体薄膜的化学通式为ZnMV或ZnAMV，其中M为In或Sn，A为Al或Ga或Zr或Hf或Ti或Mg或Si或Ge或Nb或Be或Ca或Sr或Ba或Sc或Y或V或Ta或Cr或Mo或W或Re或Ni或Cu或Ag或Au，V=S或Se或Te。

【技术特征摘要】
1.一种非晶金属VI族化合物半导体薄膜，其特征在于，所述的非晶金属VI族化合物半导体薄膜的化学通式为ZnMV或ZnAMV，其中M为In或Sn，A为Al或Ga或Zr或Hf或Ti或Mg或Si或Ge或Nb或Be或Ca或Sr或Ba或Sc或Y或V或Ta或Cr或Mo或W或Re或Ni或Cu或Ag或Au，V=S或Se或Te。2.根据权利要求1所述的一种非晶金属VI族化合物半导体薄膜，其特征在于，所述的非晶VI族金属化合物半导体薄膜具有非晶态结构，室温下禁带宽度0.5~4.5eV，薄膜厚度10~100nm。3.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管以...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕建国，陆波静，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33