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本发明公开了一种非晶金属VI族化合物半导体薄膜与薄膜晶体管，所述的非晶金属VI族化合物半导体的化学通式为ZnMV或ZnAMV，其中M=In或Sn，A=Al或Ga或Zr或Hf或Ti或Mg或Si或Ge或Nb或Be或Ca或Sr或Ba或Sc或Y或V...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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