一种含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜与薄膜晶体管制造技术

本发明专利技术提供了一种含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜与薄膜晶体管。该半导体的化学通式为ZnBMO或ZnBAMO，其中M=In或Sn，B=Be或Mg或Ca或Sr或Ba，A=Al或Ga或Zr或Hf或Ti或Mg或Si或Ge或Nb或Sc或Y或V或Ta或Cr或Mo或W或Re或Ni或Cu或Ag或Au，O为氧元素。通过配比相应氧化物粉末进行烧结制得相应陶瓷片作为靶材，采用脉冲激光沉积法制备非晶氧化物薄膜，薄膜成分均匀，厚度均匀，具有较好的光学与电学性能。以所述的含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜为沟道层，制备薄膜晶体管，具有显著的场效应特性。

【技术实现步骤摘要】
一种含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜与薄膜晶体管
本专利技术涉及一种非晶氧化物半导体薄膜，尤其涉及含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜与薄膜晶体管。
技术介绍
薄膜晶体管（TFT）是微电子特别是显示工程领域的核心技术之一。不论在目前先进显示市场中占绝对主导优势的有源矩阵液晶显示器（AMLCD），还是代表未来柔性显示趋势的AMOLED（有源矩阵有机发光二极管显示器），TFT器件均在其中的像素驱动单元中占据关键位置。此外，TFT器件还在生物传感、紫外探照等方面得到广泛研究与应用。因此，研制和发展TFT器件具有重要的意义。TFT最重要的组成部分是其沟道层材料，关于TFT的研究也集中在沟道层材料的研发和选择上。目前，工业生产中TFT的沟道层材料主要是非晶硅（a-Si）和低温多晶硅（LTPS），但是a-SiTFT迁移率较低（~2cm2/Vs），难以驱动大于90英寸的显示器，而基于多晶硅（p-Si）技术的TFT虽然迁移率高（~100cm2/Vs），但是器件均匀性较差，电学性能不稳定，而且制作成本高，这限制了它的应用。同时，Si是一种间接带隙窄禁带半导体，在可见光区域是不透明的，像素开口率不能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述的含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜的化学通式为ZnBMO或 ZnBAMO；其中，Zn为锌元素；B为II族元素Be或Mg或Ca或Sr或Ba；A为Al或Ga或Zr或Hf或Ti或Mg或Si或Ge或Nb或Sc或Y或V或Ta或Cr或Mo或W或Re或Ni或Cu或Ag或Au；M为In或Sn，O为氧元素。

【技术特征摘要】
1.一种含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于，所述的含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜的化学通式为ZnBMO或ZnBAMO；其中，Zn为锌元素；B为II族元素Be或Mg或Ca或Sr或Ba；A为Al或Ga或Zr或Hf或Ti或Mg或Si或Ge或Nb或Sc或Y或V或Ta或Cr或Mo或W或Re或Ni或Cu或Ag或Au；M为In或Sn，O为氧元素。2.根据权利要求1所述的一种含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜，，其特征在于，所述的含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜具有非晶态结构，室温下禁带宽度...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕建国，陆波静，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33