温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种含有II族元素的非晶氧化物半导体薄膜与薄膜晶体管。该半导体的化学通式为ZnBMO或ZnBAMO，其中M=In或Sn，B=Be或Mg或Ca或Sr或Ba，A=Al或Ga或Zr或Hf或Ti或Mg或Si或Ge或Nb或Sc或Y或V或T...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。