【技术实现步骤摘要】
包括形成有鳍结构的多栅极晶体管的半导体器件[相关申请的交叉参考]本申请主张2017年5月24日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0063988号的优先权以及从所述韩国专利申请衍生出的所有权利，所述韩国专利申请的内容全文并入本申请供参考。
根据示例性实施例的方法及装置关于一种半导体器件。
技术介绍
已提出多栅极晶体管作为用于增大半导体器件的密度的一种按比例缩放技术，根据所述按比例缩放技术，在衬底上形成呈鳍或纳米线形状的硅本体，接着在硅本体的表面上形成栅极。此种多栅极晶体管使得易于按比例缩放，这是由于此种多栅极晶体管使用三维沟道。另外，多栅极晶体管的电流控制能力可得到提高而不会使多栅极晶体管的栅极长度增大。另外，可有效地抑制短沟道效应(shortchanneleffect，SCE)，否则短沟道效应会减小多栅极晶体管对纳米级半导体结构中的沟道区的控制能力。
技术实现思路
以下公开了一种操作性能得到改善的半导体器件。根据示例性实施例的一方面，提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；多个鳍，包括第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍，所述多个鳍中的每...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；多个鳍，包括第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍，所述多个鳍中的每一个在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及多个沟槽，包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽及第四沟槽，所述多个沟槽中的每一个形成在所述多个鳍中的相邻的鳍之间，其中所述第一沟槽的第一宽度及所述第三沟槽的第三宽度的变化小于第一变化，且所述第二沟槽的第二宽度及所述第四沟槽的第四宽度的变化小于第二变化，且其中所述第二变化大于所述第一变化。
【技术特征摘要】
2017.05.24 KR 10-2017-00639881.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；多个鳍，包括第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍，所述多个鳍中的每一个在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及多个沟槽，包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽及第四沟槽，所述多个沟槽中的每一个形成在所述多个鳍中的相邻的鳍之间，其中所述第一沟槽的第一宽度及所述第三沟槽的第三宽度的变化小于第一变化，且所述第二沟槽的第二宽度及所述第四沟槽的第四宽度的变化小于第二变化，且其中所述第二变化大于所述第一变化。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一沟槽的第一深度及所述第三沟槽的第三深度的变化小于第三变化，且所述第二沟槽的第二深度及所述第四沟槽的第四深度的变化小于第四变化，且其中所述第四变化大于所述第三变化。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一宽度及所述第三宽度小于所述第二宽度及所述第四宽度。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一深度及所述第三深度小于所述第二深度及所述第四深度。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一沟槽的第一侧壁斜率及所述第三沟槽的第三侧壁斜率大于所述第二沟槽的第二侧壁斜率及所述第四沟槽的第四侧壁斜率。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一沟槽的第一侧壁斜率与所述第三沟槽的第三侧壁斜率之间的变化小于第五变化，其中所述第二沟槽的第二侧壁斜率与所述第四沟槽的第四侧壁斜率之间的变化小于第六变化，且其中所述第六变化大于所述第五变化。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括在所述第二方向上在所述第一鳍到所述第五鳍上延伸的栅极电极。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二鳍、所述第三鳍及所述第五鳍中的至少一者的高度低于所述第一鳍的高度。9.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；第一鳍结构及第二鳍结构，在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及第一沟槽，将所述第一鳍结构与所述第二鳍结构彼此间隔开，其中所述第一鳍结构包括从所述衬底突出的第一基础鳍、从所述第一基础鳍突出并在所述第二方向上彼此间隔开的第一鳍与第二鳍以及将所述第一鳍与所述第二鳍彼此间隔开的第二沟槽，且其中所述第二鳍结构包括从所述衬底突出的第二基础鳍...
【专利技术属性】
技术研发人员：金成玟，金洞院，裵金钟，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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