下载包括形成有鳍结构的多栅极晶体管的半导体器件的技术资料

文档序号:19698800

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括:衬底;多个鳍,包括第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍,所述多个鳍中的每一个在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开;以及多个沟槽,包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。