【技术实现步骤摘要】
一种微纳晶体管
本技术涉及微纳晶体管
，具体而言，涉及一种微纳晶体管。
技术介绍
随着时代的发展，半导体领域也逐渐发展，使得器件尺寸不断变小，从而出现了微纳晶体管，微纳晶体管在尺度和结构上都与传统平面结构晶体管有很大不同，其微纳尺度的特性使其对外界环境变化能够实现快速，实时以及高灵敏度探测，在传感器领域有巨大的潜力。同时得益于优化的材料质量和小尺度结构，微纳晶体管的材料和界面质量能够得到很好的优化，快速开关模式下工作性能优异，非常适合制作高速射频器件，拥有广阔的应用前景。因此，微纳晶体管的制备尤其受到人们的广泛关注。GaN作为第三代半导体材料的代表，与第一代Ge、Si和第二代GaAs、InP材料相比，具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、热导性好、临界击穿电场高等优点，在研制高频及新型电子器件方面是一种理想的材料。但是，由于目前的GaN基微纳晶体管的制备方法还不成熟，所以在实际制备中，制作出GaN基微纳晶体管存在较大的晶格失配与热失配的问题，导致应力大量积累，容易使微纳晶体管出现损坏。有鉴于此，如何解决上述问题，是本领域技术人员关注的重点。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种微纳晶体管，其特征在于，所述微纳晶体管包括衬底、缓冲层、外延层、势垒层、栅极介质层、栅极金属层、源极金属层以及漏极金属层，所述缓冲层铺设于所述衬底，所述外延层的端部与所述缓冲层面连接，所述势垒层铺设与所述外延层上，所述栅极介质层铺设于所述势垒层上，所述栅极金属层铺设于所述栅极介质层上，所述源极金属层与所述漏极金属层分别铺设于所述势垒层的靠近两端的位置，且制作所述缓冲层与所述外延层的材料相同。
【技术特征摘要】
1.一种微纳晶体管，其特征在于，所述微纳晶体管包括衬底、缓冲层、外延层、势垒层、栅极介质层、栅极金属层、源极金属层以及漏极金属层，所述缓冲层铺设于所述衬底，所述外延层的端部与所述缓冲层面连接，所述势垒层铺设与所述外延层上，所述栅极介质层铺设于所述势垒层上，所述栅极金属层铺设于所述栅极介质层上，所述源极金属层与所述漏极金属层分别铺设于所述势垒层的靠近两端的位置，且制作所述缓冲层与所述外延层的材料相同。2.如权利要求1所述的微纳晶体管，其特征在于，所述外延层的截面的形状为三角形或梯形。3.如权利要求2所述的微纳晶体管，其特征在于，所述微纳晶体管还包括掩膜层，所述掩膜层铺设于所述缓...
【专利技术属性】
技术研发人员：任远，陈志涛，刘晓燕，潘章旭，李叶林，龚政，张佰君，
申请(专利权)人：广东省半导体产业技术研究院，
类型：新型
国别省市：广东,44
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