【技术实现步骤摘要】
一种半导体场效应晶体管及其制备方法
本专利技术涉及通信
，更具体地说，涉及一种半导体场效应晶体管及其制备方法。
技术介绍
传统由Si、GaAs制造的半导体场效应晶体管具有开关损耗大、击穿电压小、电子漂移速率低以及散热差等一系列问题因而受到了国内外的高度重视和深入研究，若能提供一种开关损耗小、击穿电压大、电子漂移速率高以及散热佳的半导体场效应晶体管将在电力电子行业中起到决定性作用。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种半导体场效应晶体管及其制备方法，旨在解决传统半导体场效应晶体管开关损耗大、击穿电压小、电子漂移速率低以及散热差的问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种半导体场效应晶体管及其制备方法，该半导体场效应晶体管包括：衬底、衬底下方的漏极电极以及远离衬底的方向依次垂直置于衬底上方的n+型SiC、n-型SiC、P-型SiC以及n+型SiC；晶体管上方具有预设倾斜角度的倒梯形沟槽，倒梯形沟槽的窄底处于n-型SiC所在的区域；倒梯形沟槽上沉积有SixNy-SiO2双层结构，SixNy-SiO2双层结构上具有栅极电极，晶体管上方且位于倒梯形沟槽宽底两侧的位...
【技术保护点】
1.一种半导体场效应晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：衬底、衬底下方的漏极电极以及远离所述衬底的方向依次垂直置于所述衬底上方的n+型SiC、n‑型SiC、P‑型SiC以及n+型SiC；所述晶体管上方具有预设倾斜角度的倒梯形沟槽，所述倒梯形沟槽的窄底处于所述n‑型SiC所在的区域；所述倒梯形沟槽上沉积有SixNy‑SiO2双层结构，所述SixNy‑SiO2双层结构上具有栅极电极，所述晶体管上方且位于所述倒梯形沟槽宽底两侧的位置烧结有源极接触电极。
【技术特征摘要】
1.一种半导体场效应晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：衬底、衬底下方的漏极电极以及远离所述衬底的方向依次垂直置于所述衬底上方的n+型SiC、n-型SiC、P-型SiC以及n+型SiC；所述晶体管上方具有预设倾斜角度的倒梯形沟槽，所述倒梯形沟槽的窄底处于所述n-型SiC所在的区域；所述倒梯形沟槽上沉积有SixNy-SiO2双层结构，所述SixNy-SiO2双层结构上具有栅极电极，所述晶体管上方且位于所述倒梯形沟槽宽底两侧的位置烧结有源极接触电极。2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述预设倾斜角的角度包括45°、60°、75°中的一种。3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述衬底的材料包括蓝宝石或碳化硅。4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管上远离所述衬底的方向的n+型SiC、n-型SiC、P-型SiC以及n+型SiC的厚度分别为：400nm，800nm，400nm，400nm；载流子浓度分别为：2x1018cm-3，1x1017cm-3，2x1017cm-3，3x1018cm-3。5.如权利要求1-4任一项所述的晶体管，其特征在于，所述SixNy-SiO2双层结构中的SixNy、SiO2的厚度分别为2nm、98nm；所述漏极电极为厚度为240nm的Al；所述栅极电极为Ni、Au材料的组合，所述Ni、Au材料的厚度分别为10nm、130nm；所述源极接触电极为Ti、Al材料的组合构成，所述Ti、Al材料的厚度分别为12nm、260nm。6.一种半导体场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所...
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